块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法

摘要

本发明提供c面的弯曲程度降低的块状GaN晶体。该块状GaN晶体具有选自相对于(0001)晶面倾斜0度以上且10度以下的面、及相对于(000‑1)晶面倾斜0度以上且10度以下的面中的主面，该主面是满足下述条件(i)及(ii)的特定主面A：(i)能够在该特定主面A上画出沿着第一方向延伸的长度80mm的假想线段、即第一线，且在该第一线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第一方向垂直而测定的该GaN晶体的(002)XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下；(ii)能够在该特定主面A上画出沿着与该第一方向垂直的第二方向延伸的长度80mm的假想线段、即第二线，且在该第二线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第二方向垂直而测定的该GaN晶体的(002)XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下。