摘要:氧化镓(Ga2O3)是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为4.2-5.3eV,是一种非常有前景的深紫外氧化物半导体材料.相比于其他主流半导体材料,除了带隙大,Ga2O3还拥有击穿场强高(8MV/cm)和能量损耗低等特性,使其在场效应晶体管、日盲光电探测器、透明导电电极、信息存储器、气敏传感器、LED基板等器件中展现出巨大的应用前景,是一种极具应用潜力的多功能光电材料. 受Ga2O3复杂的晶型及其相变的影响,获得满足于Ga2O3基器件应用的高质量晶态薄膜的挑战巨大。高质量外延薄膜的生长依赖于衬底晶格及化学匹配、衬底温度、沉积气压、靶材物质的化学活性、薄膜成分组元的束流等多重因素决定的热动力学过程。如何获得Ga2O3各晶型的外延薄膜、表征各晶型薄膜本征的物性、并探讨其各自的应用优势是一个非常重要的研究课题。目前,β相Ga2O3最为稳定,已有较多报道并被制成原型器件研究;α和γ相也有少数报道;ε,κ以及δ相则几乎未被研究。图二所示X射线衍射图谱,其中(a),(b),(c)分别对应Ga2O3的α,β,ε相。本报告总结课题组关于Ga2O3不同晶型外延薄膜的研究结果.