GaN基异质结场效应晶体管中势垒层和P--GaN层与极化库仑场散射相关研究

目录

声明

摘要

符号表

第一章绪论

1-1-1GaN材料特点

1-1-2GaN基电子器件应用和市场潜力

§1-2GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)发展历史及研究进展

1-2-1GaN基异质结材料发展历史及研究进展

1-2-2耗尽型GaN-Based HFETs发展历史及研究进展

1-2-3增强型GaN-Based HFETs发展历史及研究进展

§1-3极化库仑场散射理论的发展历史及研究进展

§1-4本论文的研究内容和安排

参考文献

第二章器件制备与测试

2-1-1衬底选择

2-1-2外延生长

§2-2GaN基异质结材料的表征

2-2-2高分辨率X射线衍射(HRXRD)测试

2-2-3原子力显微镜(AFM)测试

2-2-4微区拉曼(Micro-Raman)测试

§2-3GaN-Based HFETs制备工艺

2-3-2耗尽型GaN-Based HFETs制备工艺

2-3-3增强型GaN-Based HFETs制备工艺

§2-4GaN-Based HFETs性能测试

2-4-2电容-电压(C-V)测试

2-4-3直流(D-C)测试

参考文献

第三章AlGaN／GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的电子体系研究

§3-2AlGaN／GaN HFETs中的极化库仑场散射

3-2-1极化库仑场散射的理论模型

3-2-2两种方法的计算结果与分析

§3-3本章小结

参考文献

第四章AlGaN／GaN异质结场效应晶体管中AlGaN势垒层Al组分与极化库仑场散射关联关系研究

§4-1实验和理论方法

§4-2AlGaN势垒层4l组分与极化库仑场散射关联关系分析

§4-3本章小结

参考文献

第五章AlGaN／GaN异质结场效应晶体管中AlGaN势垒层厚度与极化库仑场散射关联关系研究

§5-1实验和理论方法

§5-2AlGaN势垒层厚度与极化库仑场散射关联关系分析

§5-3本章小结

参考文献

第六章AlN／GaN异质结场效应晶体管中AlN势垒层与极化库仑场散射关联关系研究

§6-1实验和理论方法

§6-2AlN势垒层与极化库仑场散射的关联关系分析

§6-3本章小结

参考文献

第七章极化库仑场散射对增强型P-GaN／AlGaN／GaN异质结场效应晶体管寄生源电阻的影响研究

§7-1实验方法

§7-2极化库仑场散射对增强型P-GaN／AlGaN／GaN HFETs寄生源电阻的影响分析

§7-3本章小结

参考文献

第八章总结

致谢

攻读博士学位期间的研究成果

Paper1

Paper2