机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:通过尺寸可控的纳米球光刻技术制造的p-GaN图案化的InGaN / GaN发光二极管的光提取效率
机译:具有纳米粗糙化的p-GaN表面的基于InGaN / GaN的发光二极管的光提取效率的提高
机译:沉积后刻蚀的滴落法制备周期性聚苯乙烯纳米球阵列及其在提高InGaN / GaN LED的光提取效率中的应用
机译:通过使用晶片键合方法粗糙化P-GaN表面和未掺杂的GaN表面来增强InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:沉积后刻蚀的滴滴法制备周期性聚苯乙烯纳米球阵列及其在提高InGaN / GaN LED的光提取效率中的应用
机译:具有p-GaN / n-GaN / p-GaN / n-GaN / p-GaN电流扩散层的改进型InGaN / GaN发光二极管