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廖建华; 尚林; 贾伟; 余春燕; 李天保; 许并社;
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室;
太原理工大学新材料工程技术研究中心;
形核速率; 形核层; GaN; 金属有机化学气相沉积;
机译:金属有机气相外延中GaN形核层在蓝宝石上生长和退火的原位光谱椭偏研究
机译:缺陷诱导形核和外延:合理合成WZ-GaN / 3C-SiC核-壳异质结构的新策略
机译:SiO2六角形图案对外延横向生长的半极性(11-22)GaN薄膜的晶体和光学性能的影响
机译:远程等离子体增强的超高真空化学气相沉积法(RPE-UHVCVD)形核层对GaN低温生长的影响
机译:外延,无定形和纳米颗粒薄膜中的岛形核和生长。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:在蚀刻的GaN纳米棒阵列上通过金属有机气相外延生长的GaN / InGaN / GaN核-壳结构的刻面恢复和发光
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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