薄膜沉积

摘要： 随着集成电路技术的快速发展,芯片结构更加复杂,尺寸越来越小,对薄膜沉积的性能提出了更高的要求.等离子增强化学气相沉积(PECVD)与CVD等传统工艺相比,可以在低温下实现镀膜,提供高密度、高性能的薄膜.本工作采用二维流体蒙特卡罗模型耦合沉积剖面演化模块研究了容性耦合SiH_(4)/N_(2)O/Ar混合气体放电中的极板径向位置、气体比例和气压对PECVD氧化硅薄膜沉积的影响.结果表明,离子通量和中性基团通量在极板位置的差异化分布使得所沉积薄膜沿着径向存在较大的不均匀性.进一步研究发现通过增大笑气、减小Ar含量或增大气压,薄膜的沉积效率会得到提升.但是,过快的沉积速率会导致槽结构中出现“钥匙孔结构”、空位和杂质过多等一系列不良现象.这些问题在实际工艺中很棘手,在后续的研究中将通过调控放电参数等来改善薄膜质量,以期指导实际工艺.

摘要： cqvip:1企业介绍苏州拓升智能装备有限公司是营口金辰机械股份有限公司(简称“金辰股份”,证券代码603396)旗下的子公司,成立于2019年5月,总部设在江苏省苏州市,是一家面向高效太阳能电池领域高端装备制造商,专注于先进薄膜沉积系统和扩散装备的研发、设计、生产和服务,业务涵盖新能源、半导体和纳米技术等工业领域。

摘要： 基于芯片制备工艺中所应用的化学反应过程,阐述光刻、刻蚀、氧化、薄膜沉积工艺中所涉及的化学反应与原理,对理解半导体芯片制造中的化学过程具有重要意义.

摘要： 西安工业大学通过近10年的技术探索和积累,已经掌握了成熟的原料提纯工艺。通过稳定的精细提纯技术,可获得纯度约5N的多晶HgI 2粉体;通过在小面积(1cm^2)ITO玻璃上的沉积,生长了厚度100~1000μm、电阻率1010~1011Ω·cm的薄膜,获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备,采用优化工艺,严格控制薄膜沉积温度变化范围(0.5~1°C),成功的生长了36 cm^2的大面积碘化汞多晶薄膜。

摘要： 西安工业大学通过近10年的技术探索和积累,已经掌握了成熟的原料提纯工艺。通过稳定的精细提纯技术,可获得纯度约5N的多晶HgI2粉体;通过在小面积(1 cm^2)ITO玻璃上的沉积,生长了厚度100~1000μm、电阻率1010~1011Ω·cm的薄膜,获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备,采用优化工艺,严格控制薄膜沉积温度变化范围(0.5°C~1°C),成功的生长了36 cm^2的大面积碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制备的成像探测器性能测试中,采用80 keV的射线(工作电流4 mA),曝光时间5 ms,成功的获得了不锈钢螺母的成像照片,达到了安检和医学成像的基本要求;经过进一步工艺优化和调整,大面积(170 cm^2)多晶薄膜的的沉积技术已经趋于完善,样品成功率大于97%,将应用于医学成像检测。

摘要： 近日,全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布推出全新解决方案,帮助客户提高芯片存储密度,以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR?誖DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS?誖GS,泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3DNAND技术持续发展的关键因素。

摘要： 薄膜型全固态锂电池具有完美的电极/电解质固-固界面,可以有效解决当前商用锂离子电池的安全性问题,并具有超长的循环寿命、较宽的使用温度范围、较低的自放电率等优点,相比体型固态锂电池性能优越,受到了业界的广泛关注.然而制备成本高、单位面积能量密度低等缺点限制了其应用范围.本文介绍了薄膜型全固态锂电池的工作原理及特点、关键材料的研究现状,并针对薄膜固态锂电池的产业化现状和技术瓶颈进行了总结,对新一代薄膜型全固态锂电池的发展及产业化应用进行了展望.%All-solid-state thin film lithium batteries, having perfect electrode/electrolyte solid/solid interface, can effectively improve the safety issue of the current commercial lithium-ion batteries using liquid electrolyte. Their outstanding electrochemical properties, including ultralong cycle life, wide temperature range, and low self-discharge, are superior to those of the bulk solid-state batteries and attract a lot of interest. The high fabrication cost and low energy density per unit area are the two main drawbacks for the current thin film battery technology, which limit their broad applications. In this perspective, we summarize the working principle, key materials, and research progress for thin film lithium batteries. The current commercialization and development bottleneck of solid-state thin film lithium batteries are summarized, and perspectives on future development and application of the next-generation thin film lithium batteries are provided.

摘要： 为提高射流喷射的稳定性和薄膜成型效率,设计开发了具有气流聚焦功能的静电喷雾装置.仿真研究了喷雾空间电场和气体流场的分布特性,开展了静电喷雾实验研究,分析了喷雾射流喷射行为,讨论了静电喷雾薄膜沉积面积和纳米颗粒直径的控制规律.结果表明,辅助气流的加载能够有效提高喷嘴处射流的喷射速度,促进射流拉伸细化,对减小纳米颗粒直径、提高颗粒均匀性都具有很好的促进作用.%Electrostatic spray spinneret with gas focusing was designed herein,which improved the stability of electrostatic spray jet and the efficiency of micro thin film deposition.Distributions of space electric field and flow field of gas were simulated,regularity of the spray was analyzed,and effects of processing parameters on the deposition areas of the film and diameters of nanoparticles were discussed.Experimental results show that,the jet inj ection velocity is increased by loading of auxiliary flow,and continuous stretching of auxiliary flow will lead to decrease the diameters of nano-particles and to improve the nanopartides homogeneity.

摘要： With the rapid development of high voltage DC (HVDC) transmission in China, the surface charge accumulation under the DC voltage has been a serious threat to the safety and reliable operation of HVDC system. In this paper, an atmospheric pressure plasma jet was introduced to deposit SiOx films on epoxy resin surface to accelerate the dissipation of surface charge on insulating material. The reaction precursor was TEOS. The multi-parameters were analyzed before and after plasma modification, including chemical composition, surface conductivity, surface charge distribution, trap depth and voltage endurance. The results showed that a large number of inorganic groups including Si-O-Si and Si-OH groups were introduced on epoxy resin surface, and the surface conductivity increased by 2 orders of magnitude. With the increase of the modification time, the initial accumulation surface charge decreased and the dissipation rate was accelerated. The energy trap depth became shallower after plasma treatment. Besides, the flashover voltage increased to a maximum value of 9kV at 180s. It is shown that atmospheric pressure plasma jet deposited SiOx film on the polymer surface is an effective method for improving the electrical properties of epoxy resin, and provides an effective modification method for industrial application.%随着高压直流输电迅猛发展,绝缘材料在直流电压下表面电荷积聚现象严重威胁直流输电系统的安全可靠运行.为加快绝缘材料表面电荷的消散,采用大气压等离子体射流,以TEOS为前驱物,在环氧树脂表面沉积SiOx薄膜.对改性前后材料表面化学组成、表面电导率、表面电荷特性、表面陷阱分布以及耐压特性进行多参数测量,研究等离子体射流改性前后环氧树脂表面特性.实验结果表明:等离子体处理在环氧树脂表面引入大量以Si-O-Si及Si-OH基团为主的无机基团,且表面电导率提高2个数量级.随着改性时间的延长,表面电荷的初始积聚量减少,消散速度加快,陷阱能级深度变浅;沿面闪络电压呈现先增后降的趋势,在改性180s时闪络电压提高到最高值9.0kV.研究结果表明:通过大气压等离子体射流在聚合物表面沉积薄膜能够提高环氧树脂绝缘性能,为其工程应用提供了有效的改性方法.

摘要： 在使用化学溶液沉积技术制备钇钡铜氧高温超导薄膜的过程中,氟化钡是一种重要的热处理中间相。在本文中,通过对氟化钡向其他中间相转化的化学反应进行标准吉布斯自由能变计算,对氟化钡的热力学稳定性进行了分析,考虑的温度范围为700至1000开尔文。计算中使用了物质吉布斯自由能函数法和物质生成标准摩尔吉布斯自由能法两种方法,计算标准吉布斯自由能变。该研究验证了氟化钡在较高温度下相对于其他中间相的生成优先性,同时也发现了700开尔文下碳酸钡相生成的可能性。

摘要： 近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功能薄膜的应用需求,相应的薄膜制备技术也取得进一步发展.本文将介绍面向TSV结构的深孔的薄膜沉积技术的发展,以及PVD、MOCVD、ALD等改进技术及特点,阐述薄膜制备技术在TSV高深宽比的金属化的应用.

摘要： 采用修正截断半径的第二代Brenner势,利用分子动力学方法,系统研究了非晶四面体碳(ta-C)薄膜沉积过程中热钉微区温度、应力与结构之间的关系.通过跟踪沉积碳离子平衡位置,显示薄膜生长因碳离子能量的高低呈现表面生长和亚表层生长模式.计算了薄膜生长过程中的应力分布,表面薄膜中存在横向的应力分布,其强度略低于纵向应力.热钉微区温度和应力与结构的变化存在时间关联,三者具有耦合关系,表明除了人们通常关注的碳离子能量和衬底温度两个工艺参数外,沉积微区温度及应力也对薄膜结构具有重要影响.

摘要： 为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积，需要尽可能的优化工艺，特别是提高功率利用效率对于降低生产成本以及提高工艺稳定性都有重要的意义。在射频PECVD 系统中，虽然引入的匹配器对腔室的电抗特性进行变换，以使更多能量能够馈入并耦合入等离子体放电，但是由于寄生电抗的存在，使得匹配器本身成为主要的功率消耗部件。对PECVD 系统的测量发现，实际的功率利用率仅为10%以下，通过对系统硬件的改造，降低了寄生电抗的影响，显著地改善功率传输效率，其利用率达到60%以上。

摘要： 针对大面积喷淋式电极甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECvD)反应室，本文应用多物理场耦合分析软件CFD-ACE+，建立二维自适应流体模型。模拟研究了硅薄膜沉积过程中电极间流体场、电场空间分布时等离子体空间分布均匀性的影响，给出了薄膜沉积速率分布均匀性随反应气体流量、等离子体激发频率及辉光功率的变化规律。本文的模拟结果从理论上为大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室设计以及反应室工艺条件的优化指导。

摘要： 本文对环境半导体β-FeSi2薄膜的制备方法工艺进行了回顾和总结，对β-FeSi2薄膜的热处理工艺进行了综述。分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响，结果表明影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理温度和时间，此外薄膜沉积方法和沉积厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。

摘要： 氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不足：如薄膜生长速率较低；而且沿薄膜生长方向存在较为严重的结构不均匀性，尤其是当薄膜沉积在非晶衬底上时，薄膜与衬底界面处难以避免地形成一层非晶过渡层，即所谓的孵化层。孵化层的存在增大了器件内阻从而对器件载流子输运影响较大。依据上述背景，本研究采用自主研发的喷射型电感祸合等离子体化学气相沉积系统(Jet-ICPCVD)制备了微晶硅薄膜。本文主要研究微晶硅薄膜孵化层结构的演化。

摘要： 通过对镀膜过程的监测、数据采集与整理,建立数学模型并在matlab软件下的算法仿真与分析,对影响镀膜过程、镀膜质量的几个关键因素产生的原因进行了查找与分析,设计相应的解决方案,并且提出了一个膜系的偏差评价函数,这个函数可以综合评价镀膜的实际结果和目标结果的偏差,从而修正后续镀制的膜层.

摘要： 采用二维自适应流体模型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。模拟的结果显示出:同非晶硅薄膜的沉积相比,关键基团的密度具有不同的量级,而且微晶硅薄膜沉积过程中原子H的密度和通量比较大,是影响其结构的重要基团。另外,SiH3和SiH2基团的密度、通量和非晶硅薄膜的沉积过程相比较而言,SiH2基团对微晶硅薄膜沉积的贡献增加。最后通过对电子密度和温度的空间分布研究,表明:甚高频率提高薄膜沉积速率主要是由于电子密度,特别是有效的电子密度的增加而导致的。

摘要： 在直流反应磁控溅射中，参与溅射的反应气体流量对所沉积的薄膜特性有重要影响，而采用的金属靶材不可预控的表面初始氧化态对反应溅射过程同样有深刻影响。由于氧化钒多价态多晶型结构的特点，这些问题在氧化钒薄膜反应磁控溅射沉积时尤为突出。论文详细研究了氧化钒薄膜反应磁控溅射中，金属钒靶在纯Ar环境中预溅和在随后的Ar/O2混合环境中反应溅射时溅射电压的变化。

摘要： 在直流反应磁控溅射中，参与溅射的反应气体流量对所沉积的薄膜特性有重要影响，而采用的金属靶材不可预控的表面初始氧化态对反应溅射过程同样有深刻影响。由于氧化钒多价态多晶型结构的特点，这些问题在氧化钒薄膜反应磁控溅射沉积时尤为突出。论文详细研究了氧化钒薄膜反应磁控溅射中，金属钒靶在纯Ar环境中预溅和在随后的Ar/O2混合环境中反应溅射时溅射电压的变化。

摘要： 本公开内容提供一种制造薄膜电池中的锂沉积工艺中使用的掩蔽装置(100)。掩蔽装置(100)包括由金属或金属合金制成的掩模部分(110)、和在掩模部分(110)中的一个或多个开口(120)，其中一个或多个开口(120)经构造以允许沉积材料的颗粒穿过掩模部分(110)，而且其中一个或多个开口(120)中的每个开口的尺寸为至少0.5cm2。

摘要： 本发明涉及一种薄膜沉积装置以及使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法。所述薄膜沉积装置包括：沉积源和角度限制板，该沉积源经由喷射孔朝向基板喷射沉积蒸气，该角度限制板被布置为邻近所述喷射孔，以便在设定范围内限制从所述喷射孔喷射所述沉积蒸气的角度。所述角度限制板包括相对于所述喷射孔被固定的固定限制板和相对于所述喷射孔能移动的能移动限制板。

摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备和使用该薄膜沉积设备的薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括：室，被构造成具有安装在所述室中的基底；喷射单元，被构造成在室中移动且向基底喷射沉积蒸汽；以及源供应单元，被构造成向喷射单元供应沉积蒸汽的源。

摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。

摘要： 本发明涉及金属薄膜(F)的薄膜沉积装置(1A)，其包括正电极(11)、固体电解质膜(13)、以及在正电极(11)和待为负电极的基底材料(B)之间施加电压的电源部(14)。固体电解质膜(13)允许水含量为15质量％或更大并能够包含金属离子。电源部(14)在正电极和基底材料之间施加电压，在其中固体电解质膜设置在正电极的表面上的状态下，使得由包含在固体电解质膜(13)内部的金属离子制得的金属沉淀在基底材料(B)的表面上。

摘要： 提供了一种薄膜沉积装置和使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法。该薄膜沉积装置包括：掩模，与基底的第一表面接触；磁板，在基底的第二表面上方，并且被构造成将掩模拉向基底的第一表面，基底的第二表面是与第一表面相反的表面；绝缘构件，在基底的第二表面与磁板之间。

摘要： 本发明涉及一种薄膜沉积装置以及使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法。所述薄膜沉积装置包括：沉积源和角度限制板，该沉积源经由喷射孔朝向基板喷射沉积蒸气，该角度限制板被布置为邻近所述喷射孔，以便在设定范围内限制从所述喷射孔喷射所述沉积蒸气的角度。所述角度限制板包括相对于所述喷射孔被固定的固定限制板和相对于所述喷射孔能移动的能移动限制板。

摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备和使用该薄膜沉积设备的薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括：室，被构造成具有安装在所述室中的基底；喷射单元，被构造成在室中移动且向基底喷射沉积蒸汽；以及源供应单元，被构造成向喷射单元供应沉积蒸汽的源。

摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜。

摘要： 本实用新型公开了一种薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材托架相对设置；激光入射口，设置于腔体外壳的侧面，与并靶材托架倾斜相对，用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉；束源炉接口，设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对，用于入射由组分B构成的分子束流；激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流。本实用新型能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程和分子束外延成膜过程的相互干扰，可以制备质量更好和采用现有技术根本无法制备的薄膜。