微晶硅

摘要： 综述了目前国际国内上在非晶硅、微晶硅、纳米晶硅薄膜太阳能电池的研究进展,并展望了这些太阳能电池的发展.

摘要： 研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。

摘要： In order to reduce the "S-W effect" of amorphous silicon thin film solar cells and increase its photoelectric conversion efficiency, intrinsic amorphous silicon thin films prepared by plasma enhanced chemical vapov deposition were crystallized with KrF excimer laser. The crystalline effect of the crystallized films under different laser energy density and repeated frequency was characterized with Raman spectroscopy, the morphologies of the samples before and after the crystallization was studied by means of scanning electron microscope. It is shown that the crystallization effect became better with the increase of laser energy density, maximum value of crystallization rate was 76. 34% when the energy density reached 268. 54mJ/cm2 and the optimum energy density range was from 204. 99mJ/cm2 to 268. 54mJ/cm2 in which the surface of film was crystallized well. In the range of lHz ~ lOHz, the crystallization effect got better with the increase of laser repeation frequency. Microcrystalline and polycrystal particles appeared obviously after the crystallization so that a good crystallization effect was achieved.%为了减低非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应和提高其光电转换效率,用等离子体化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜,用波长为248nm的KrF准分子激光器激光晶化了非晶硅表层,用共焦显微喇曼测试技术研究了非晶硅薄膜在不同的激光能量密度和不同的频率下的晶化状态,并用扫描电子显微镜测试晶化前后薄膜的形貌.结果表明,随着激光能量密度的增大,薄膜晶化效果越来越好,能量密度达到268.54mJ/cm2时晶化效果最好,此时结晶比约为76.34％；最佳的激光能量密度范围是204.99mJ/cm2～268.54mJ/cm2,这时薄膜表面晶化良好；在1Hz ～ 1OHz范围内,激光频率越大晶化效果越好；晶化后薄膜明显出现微晶和多晶颗粒,从而达到了良好的晶化效果.

摘要： The ratio of I(H*α)/I(SiH*), obtained from the real time optical emission spectroscopy (OES) measurement in the high-rate mi-crocrystalline silicon deposition process, as a function of time is used to analyze the cause of increasing crystallinity along the growth direction. Hydrogen dilution gradient method which means silane concentration gradient and hydrogen flow gradient method is adopted to improve vertical structure uniformity of the material. High-quality microcrystalline material around 53%–62%of Xc can be pre-pared through silane concentration gradient compared with 55%–75%of Xc prepared in the traditional method. In the silane depleted cases, by increasing the hydrogen flow the longitudinal uniformity of the material can be effectively improved. The vertical crys-tallinity around 53%–60%can be obtained. This is mainly due to the increase of the hydrogen flow that makes the collision probability increased, as a result, electron temperature of plasma reduced. Thus, the decomposition of hydrogen decreases and the reaction of hydrogen annihilation is suppressed. At the same time, the influence of back diffusion of SiH4 is suppressed. The gradually increasing trend of the ratio of I(H*α)/I(SiH*) is controlled during the deposition of microcrystalline silicon film.%　　通过光发射光谱监测高速沉积微晶硅薄膜过程中I(H*α)/I(SiH*)随沉积时间的变化趋势，分析高速率微晶硅薄膜纵向晶化率逐渐增大的原因。通过氢稀释梯度法，即硅烷浓度梯度和氢气流量梯度法来改善材料的纵向均匀性。结果表明：硅烷浓度梯度法获得的材料晶化率从沉积300 s时的53%增加到沉积600 s时的62%，相比于传统方式下纵向晶化率从55%到75%的变化有了明显的改善。在硅烷耗尽的情况下，增加氢气流量一方面增加了气体总流量，使得电子碰撞概率增加，电子温度降低，从而降低氢气的分解，抑制SiHx基团的放氢反应，同时背扩散现象也得到了一定的缓解，使得I(H*α)/I(SiH*)在沉积过程中逐渐增加的趋势有所抑制，所制备的材料的纵向晶化率在240 s后维持在53%-60%范围内，同样改善了薄膜的纵向结构。

摘要： 为实现薄膜基板太阳能电池的高效率化，富士电机最近开发了利用微晶硅（μc—si）的太阳能电池。做晶硅太阳能电池需要在高速下制膜（desposition），尽管高速制膜与转换效率之间存在着折衷关系，但通过制膜方法与条件的改善，在4倍于初期的制膜速度下，达到了等于或高于初期开发阶段的高转换效率。如将这些技术应用于多结（multi-junction）太阳能电池中，则可达到比现有薄膜基板太阳能电池更高的稳定转换效率11．7％：

摘要： 作为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更显著提高了薄膜电池的转换效率.如今前沿领域的硅基薄膜电池制造商都朝着商业化量产稳定效率10％迈进.过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1×l.3m2)的最前沿,在薄膜电池、组件及组件能源输出方面都做了大量的研发工作.作为硅基薄膜电池的重要组成部分,电池的前后电极对电池表现起非常关键的作用.本文将主要探讨硅基非晶-微晶叠层薄膜电池前后电极的选择,对比研究了不同TCO前电极对电池表现的影响以及传统PVD金属背电极与TCO背电极在硅基叠层电池上的表现.

摘要： 采用甚高频等离子化学增强气相沉积系统(VHF-PECVD)制备器件质量级本征微晶硅薄膜,研究薄膜的光电性质和结晶性质.结果表明:随硅烷浓度增加,薄膜材料的光敏性增加,晶化率减小;辉光功率增加,薄膜材料的光敏性减小,晶化率增加.将本征微晶硅薄膜应用到微晶硅薄膜太阳电池中,测试电池的I-V特性,获得开路电压.结果表明:硅烷浓度增加,电池的开路电压增加;辉光功率增加,电池的开路电压减小.

摘要： 采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较。模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70 W时,等离子体中心区域的电子温度T e基本保持不变,电子浓度n e和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比n H/n SiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好。最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释。

摘要： Our recent work on deposition and characterization of hydrogenated microcrystalline silicon （uc-Si：H） thin films and silicon thin film solar cells prepared by RF-PECVD under high-pressure-depletion conditions is summarized in this paper. Several key issues are studied in detail： 1） process windows for device-quality uc-Si：H thin films, 2） formation mechanism of amorphous silicon incubation layer and the effective methods to reduce the incubation layer thickness, 3） modification of crystalline fraction volume of intrinsic uc-Si：H layers and its influence on the device performance of uc-Si：H solar cells, 4） deposition of high conductive p-type I.tc-Si：H window layers with high crystalline fraction volume, and the influence of p-layer on the device performance. After solving the above key issues, a high efficiency of 8.16% is obtained for uc-Si：H sing-junction solar cell with intrinsic layer prepared by RF-PECVD under high-pressure-depletion conditions. When it is used as bottom cell in a-Si：H/uc-Si：H tandem solar cell, the efficiency of tandem cell reaches 11.61%.%报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）制备高效率单结微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层电池时几个关键问题的研究结果,主要包括：1）器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;2）孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法;3）氢稀释调制技术对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用;4）高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得,及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等.在解决上述问题的基础上,采用高压RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.61%.

摘要： 硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析.

摘要： 微晶硅属于微晶质石英,反应活性高于石英砂.本文以内掺35％石英砂的油井水泥石为样品,研究微晶硅对油井水泥石高温抗压强度及渗透率的影响.采用等温量热仪(ICC),X射线衍射分析仪(XRD),热重分析仪(TG),压汞仪(MIP),扫描电子显微镜(SEM)对掺入微晶硅的油井水泥浆体系的水化活性、晶相组成、热稳性和孔径分布进行分析,探索微晶硅改善油井水泥石高温力学性能的作用机制.结果表明:掺微晶硅的油井水泥浆在80°C养护7d以及高温、高压(350°C,21MPa)养护90d时均能显著改善水泥石的抗压强度.高温、高压养护后加砂油井水泥石渗透率明显增大,而掺微晶硅的水泥石渗透率较低.微晶硅颗粒细小,在80°C的水养条件下能与孔隙溶液中的Ca(OH)2反应,可轻微促进油井水泥的水化并显著降低水泥石中Ca(OH)2含量.此外,微晶硅能细化水泥石的孔结构,有利于硬硅钙石在高温条件下维持针状网络结构,使得水泥石结构更加致密.

摘要： 采用PECVD 技术在不锈钢柔性衬底上制备出硅纳米线结构微晶硅太阳能电池,硅纳米线形貌、微结构和光学特性分别由电子扫描显微镜和反射谱表征.通过对电池的电流-电压(AM1.5)以及外量子效应的测量,获得0.37V的开路电压以及13.36mA/cm2的短路电流.通过对硅纳米线进行酸处理等优化后,电池的开压Voc 由0.37 V 增加到0.48 V,提高幅度高达30%,我们对Voc 提高的机理进行探究.

摘要： 本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅材料；然后,基于光管理进行了透明导电前电极陷光性能改善的研究,结合对光的充分利用和对电池有源层材料质量的调控,获得了效率超过9%的单结微晶硅薄膜太阳电池；以此为基础,将其引入到基于微晶硅的双结和三结叠层太阳电池中,同时引入功能层SiOx 以进一步提升电池效率,结果基于微晶硅的叠层太阳电池的光电转换效率超过了12%.

摘要： 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流逐渐增加,开压也有所增加,但填充因子逐渐减小.对相同腐蚀时间的衬底,通过改变本征层硅烷浓度,研究其对微晶硅电池光谱响应的影响,实验发现硅烷浓度会对电池的短波响应造成很大的影响.通过对衬底陷光结构和电池工艺的进一步调整,获得了初始效率达到9.87%的单结微晶硅薄膜太阳电池(沉积速率达1.5nm/s).

摘要： 采用SR500 光谱光度计对VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜时硅烷不同馈入方式进行了在线监测,并制备了单结微晶硅薄膜太阳能电池.研究发现,相比于硅烷一次性注入,梯度注入时,电子温度缓慢降低,使得Ha*/Hb*和SiH*峰强度逐步升高,且高的Ha*/SiH*比有利于高晶化率界面层的沉积.选择硅烷梯度注入方式沉积本征层,在沉积速率为1nm/s条件下研制备了本征层厚度系列的电池,得到了光电转换效率为7.7%的单结微晶硅薄膜太阳能电池.

摘要： 采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱、透射光谱等测试与分析,给出了晶化率、光学带隙等随功率的变化,发现射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构具有较大影响.

摘要： 为了研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和表面生长过程进行了数值模拟.模拟过程涉及42个气相反应和43个表面反应,同时利用光发射谱(OES)对实验过程中等离子辉光进行检测.模拟的SiH3、H的相对含量和比值,以及表面生长速率,晶化率等和实验结果进行了对比,能够较好的吻合.

摘要： 甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜太阳能电池,已得到广泛应用.因为微晶硅薄膜的沉积是个复杂的放电过程,其生长机理仍是目前研究的热点.在微晶硅薄膜的沉积过程中硅烷的浓度一般小于10%,辉光放电中主要参与反应的仍为氢等离子体,所以主要对氢等离子体的放电过程进行了光发射谱实验监测和计算机模拟.随着功率的增加,电子浓度和等离子体势均单调增大,而电子温度基本不变,仅在等离子体体层与鞘层界面附近区域随功率的增大略有增大.实验和理论模拟的结果是相吻合的.随压强的增加,Hα、Hβ和H*发射基团的强度均呈现下降的趋势,Hβ/Hα的比值呈现增加的趋势.随气体流量的增加,Hα、Hβ和H*发射基团的强度呈现增加的趋势,Hβ/Hα的比值则呈现出弱的下降,随后基本保持不变.随着沉积时间的增加,这些发射基团首先是快速增加的过程,然后达到稳定状态；而Hβ/Hα的比值则呈现出弱的下降的过程,然后进入稳定状态.

摘要： 过去10年里光伏行业见证了在生产规模和技术革新上的巨大进步,伴之而来的是光伏发电成本从来没有像今天这样接近上网电价.作为光伏技术的一个重要领域,硅基薄膜电池技术也有了长足的发展,其固有的一些优势,例如原料丰富,低原料消耗,工艺路线简单,能源产出高等都得到了充分的展示.近期晶体硅技术也有了巨大的进步,电池及组件的价格更是以超乎想象的速度下降,其它薄膜技术也日益成熟并加入到竞争行列.面对这些竞争,硅基薄膜必须进一步提高转换效率,大幅度降低成本和提升组件可靠性.过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1x1.3m2)的最前沿.本文介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上主要的技术进步,包括TCO 优化,新型氧化物掺杂层的引入,弱光效应,温度系数改善等.这些技术进步导致了正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%.本文还将讨论组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线.

摘要： 过去10年里光伏行业见证了在生产规模和技术革新上的巨大进步,伴之而来的是光伏发电成本从来没有像今天这样接近上网电价.作为光伏技术的一个重要领域,硅基薄膜电池技术也有了长足的发展,其固有的一些优势,例如原料丰富,低原料消耗,工艺路线简单,能源产出高等都得到了充分的展示.近期晶体硅技术也有了巨大的进步,电池及组件的价格更是以超乎想象的速度下降,其它薄膜技术也日益成熟并加入到竞争行列.面对这些竞争,硅基薄膜必须进一步提高转换效率,大幅度降低成本和提升组件可靠性.过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1x1.3m2)的最前沿.本文介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上主要的技术进步,包括TCO 优化,新型氧化物掺杂层的引入,弱光效应,温度系数改善等.这些技术进步导致了正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%.本文还将讨论组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线.

摘要： 本发明公开了一种基于纳米孔周期阵列的非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池，顶部透明电极均匀覆盖在非晶硅顶电池上，微晶硅底电池位于非晶硅顶电池下方并与之构成串联结构；底部透明导电氧化物位于微晶硅底电池和金属背反射电极之间；低折射率纳米孔周期阵列起始于顶部透明电极并深入非晶硅顶电池和微晶硅底电池中。本发明通过对纳米孔周期阵列的材料和结构尺寸进行优化，调控子电池光吸收特性，达到子电池光电流的匹配和增强的光电流；选择不同的顶部透明电极和底部透明导电氧化物，可进一步提高光吸收效率和光电流；纳米孔周期阵列的引入可减小非晶硅顶电池的体积，大大消弱非晶硅材料固有的光致衰退效应，稳定高。

摘要： 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。

摘要： 本发明提供了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构及其制备方法，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面从内到外包括正表面场和正面钝化层，所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、交替排列的n+掺杂微晶硅层/p+掺杂微晶硅层、激光开槽区、背面透明导电膜、负电极/正电极。与现有技术相比，本发明采用背面非晶硅叠加微晶硅复合层结构，优化了HBC电池背面发射层和背场层，提升电池的短路电流密度与开压，降低串联电阻，从而提升电池转换效率。

摘要： 本发明公开了一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法。按照制备顺序，该太阳电池结构依次由柔性透明衬底、前电极、非晶硅顶电池、连接层、微晶硅底电池、背电极组成。本发明利用连接层串联顶电池和底电池，可以优化子电池的光吸收比例，并且有利于光生载流子克服子电池界面处的反向势垒，从而在降低非晶硅顶电池厚度的情况下实现顶电池和底电池的短路电流密度相匹配，一方面提高太阳电池整体的短路电流密度，改善太阳电池的光电转换效率，另一方面减弱非晶硅顶电池的光致衰退效应，提高电池的稳定性。

摘要： 本发明公开了一种基于纳米孔周期阵列的非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池，顶部透明电极均匀覆盖在非晶硅顶电池上，微晶硅底电池位于非晶硅顶电池下方并与之构成串联结构；底部透明导电氧化物位于微晶硅底电池和金属背反射电极之间；低折射率纳米孔周期阵列起始于顶部透明电极并深入非晶硅顶电池和微晶硅底电池中。本发明通过对纳米孔周期阵列的材料和结构尺寸进行优化，调控子电池光吸收特性，达到子电池光电流的匹配和增强的光电流；选择不同的顶部透明电极和底部透明导电氧化物，可进一步提高光吸收效率和光电流；纳米孔周期阵列的引入可减小非晶硅顶电池的体积，大大消弱非晶硅材料固有的光致衰退效应，稳定高。

摘要： 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。

摘要： 本发明公开了一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层，绝缘层上设有多个与n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔，n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与中间层的上表面接触，p型非晶硅层和i型非晶硅层设于绝缘层的上表面。其优点在于，不仅可以充分利用非晶硅纳米线的聚光特性，形成多种光的波导模式，同时还利用了非晶硅的纳米尺度柱状结构，当光入射到太阳能电池表面时发生多次反射/散射，增加光在太阳能电池中的路径，提高太阳光吸收率，从而提高本太阳能电池的光电转换效率。

摘要： 本实用新型提供了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HBC太阳能电池结构，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面从内到外包括正表面场和正面钝化层，所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、交替排列的n+掺杂微晶硅层/p+掺杂微晶硅层、激光开槽区、背面透明导电膜、负电极/正电极。与现有技术相比，本发明采用背面非晶硅叠加微晶硅复合层结构，优化了HBC电池背面发射层和背场层，提升电池的短路电流密度与开压，降低串联电阻，从而提升电池转换效率。

摘要： 本实用新型公开了一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，涉及太阳能电池领域，包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一，所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二，所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列，所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成，所述背板包括背电极层和封装层，该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池可以在调整原有生产工艺后，提高太阳能电池的稳定性，提高了光电转换效率且降低成本，值得推广。

摘要： 本实用新型公开了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其包括：N型硅片；设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型非晶硅层；设在掺杂P型非晶硅层上的掺杂P型微晶硅层；设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型非晶硅层；设在掺杂N型非晶硅层上的掺杂N型微晶硅层；分别设在P型微晶硅层和N型微晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在型硅片受光面和背光面ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本实用新型优化了HIT电池发射层和背场层的结构，提升电池的短路电流密度和开路电压，降低串联电阻，从而提升电池转换效率。