机译:多栅极自旋场效应晶体管的提案
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Université Paris-Saclay, Orsay, France;
School of Electronics and Information Engineering, Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing, China;
School of Electronics and Information Engineering, Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing, China;
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Université Paris-Saclay, Orsay, France;
School of Electronics and Information Engineering, Fert Beijing Research Institute, BDBC, Beihang University, Beijing, China;
Logic gates; Integrated circuit modeling; Frequency modulation; Electrodes; Transistors; Semiconductor device modeling; Geometry;
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管,用于透明,柔性,可穿戴生物传感器
机译:多栅极金属-绝缘体-硅场效应晶体管鳍结构设计的(100),(110)和(551)取向原子平坦的Si表面的载流子迁移特性
机译:具有高k最后替代金属栅极技术的激进缩放平面和多栅极鳍式场效应晶体管器件的有效功函数工程
机译:使用光散射法的高性能锗多栅极场效应晶体管的计量解决方案
机译:旋转轨道扭矩场效应晶体管(SOTFET):存储器设备提案,建模和实验
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:Si基旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的旋转传输:在倒置通道中的旋转漂移效果,在N + -SI源/漏区中的旋转松弛
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。