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用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统

摘要

本发明实施例提供一种用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统,该方法包括:对自旋场效应晶体管的漏极和源极之间施加电压,并通过所述自旋场效应晶体管的栅极,得到所述自旋场效应晶体管的第一转移曲线;基于预设磁场方向,对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场,得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线;根据所述第一转移曲线和所述目标转移曲线,获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果。本发明实施例对自旋场效应晶体管的自旋信号进行测量,具有操作简单,通用性强的特点,提高了自旋信号的测量效率,实现了室温条件下的快速测量自旋场效应晶体管的自旋特性。

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  • 法律状态公告日

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    法律状态

  • 2023-04-28

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