机译:多栅极金属-绝缘体-硅场效应晶体管鳍结构设计的(100),(110)和(551)取向原子平坦的Si表面的载流子迁移特性
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan,New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
机译:改进分裂电容电压法提取(100)取向绝缘体上硅衬底上的硅栅-AII- [100]-和[110]-定向纳米线金属氧化物-半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:Si(100),(110)和(111)-表面上n型金属氧化物半导体场效应晶体管的库仑散射限制的反层迁移率的实验评估:电导质量与法线相关性的影响弥撒
机译:鳍片掺杂浓度对绝缘体锗多栅极场效应晶体管电学特性的影响
机译:绝缘亚微米栅极III-N异质结构场效应晶体管的射频特性。
机译:具有多栅极结构的高性能延伸栅极离子敏感场效应晶体管用于透明柔性可穿戴生物传感器
机译:单晶Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极中表面原子结构与可逆氢吸附-解吸过程的相关性原子表面结构与单晶氢可逆吸附-解吸之间的相关性晶体Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极