晶粒

摘要： 采用实验拉力机和金相显微镜对铸轧法生产的3003铝合金幕墙板的力学性能和晶粒组织进行了研究,对3003铝合金大卷中间退火工艺进行了优化。结果表明:3003铝合金大卷进行中间退火时,将工艺设为530°C×9 h+390°C×3.5 h+随炉冷却3.5 h较为合理,能够有效控制晶粒长大,同时使板材的晶粒分布较为均匀,可有效提高板带材表面质量,提高生产效率、节约能耗。

摘要： 本文采取一次热压烧结和二次热等静压烧结相结合,研究了烧结温度和压力对超高纯钨坯体(纯度99.9995%)的致密化行为。提高烧结温度和压力显著改善钨坯体的致密度,在1850°C、200MPa二次热等静压烧结中钨坯体的致密度达100%。钨坯体晶粒尺寸主要取决于烧结温度,而与烧结压力无明显相关性。据此优化出两阶段烧结工艺并制备出近全致密高纯钨靶材,其致密度达97%,晶粒尺寸19.43μm,达到面向12英寸晶圆用先进制程的技术需求。

摘要： 本文通过从几十微米到几埃的多尺度表征展示了多弧离子镀制备铬涂层的详细结构.经XRD,SEM,FIB,TEM和HRTEM表征,结果显示该涂层是一种多重结构,包括表面上的微米级颗粒、缺陷带钉扎的微米或次微米级液滴、以堆垛层错为晶界的柱状晶、以刃位错和螺型位错为区分的微晶、位错末端的原子畸变以及原子排列无序化的区域.这些结构通过改变涂层的结晶度,影响了晶格常数、表面粗化和FIB溅射裂纹.此外,通过分析HTEM照片,确定了这些堆垛层错和位错的类型.最后,讨论了沉积参数对这些晶粒结构的影响.

摘要： 为提高漆籽油质量,以陕西漆树籽为原料,研究了漆籽仁预处理方法对提取漆籽油的影响,通过正交试验优化了漆籽油精制脱蜡的工艺条件,研究了助滤剂添加量对蜡晶过滤速度的影响,并测定了漆籽油的理化指标,脂肪酸、维生素E和植物甾醇组成及含量。结果表明:热碱水处理漆籽仁所提取的漆籽油品质更好,此工艺也更适于实际生产;适合规模化生产的漆籽油精制脱蜡最佳工艺条件为降温速率1.0°C/h、养晶温度5°C、搅拌速度20 r/min;加入2.0%的珍珠岩作助滤剂,油蜡分离速度最快;在上述条件下,漆籽油脱蜡率为95.88%。漆籽油含有较高含量的亚油酸(68.7%)、δ-生育酚(422.78 mg/kg)、植物甾醇(3760.00 mg/kg),其中植物甾醇中的β-扶桑甾醇(386.21 mg/kg)、柠檬二烯醇(138.55 mg/kg)在常见植物油中未见报道。

摘要： 采用旋转摩擦挤压法(RFE)制备了不同Mg含量的Al-Mg铝合金,对其进行力学性能测试和显微组织观察。结果表明:退火态的5A06基材经RFE加工后,晶粒明显细化,抗拉强度和伸长率同时提高。采用5A06和AZ31B为基材经RFE加工制备Al-Mg合金后,合金抗拉强度随Mg含量的增加而增加,但伸长率却随合金Mg含量的增加而降低;高Mg含量的Al-Mg合金晶粒可进一步细化,这是由于高Mg含量的Al-Mg合金中存在Al_(3)Mg_(2)相,可以作为动态再结晶的形核点,促进动态再结晶。然而,Al_(3)Mg_(2)相的存在会降低合金的伸长率。

摘要： 对两种2100 MPa级高强度弹簧钢原始锻材的奥氏体长大行为进行研究。分析了65SiCrV6和54SiCrV6的原奥氏体晶粒在不同加热温度下的长大规律,研究了不同元素在奥氏体晶粒长大过程中的影响。结果表明,两种钢的奥氏体长大曲线均近似指数函数,其中65SiCrV6的粗化温度约为1050~1100°C,54SiCrV6的粗化温度约为950~1000°C;在奥氏体晶粒尺寸上54SiCrV6刚开始大于65SiCrV6,超过1100°C后又小于65SiCrV6,这是由钢中的不同元素以及含量对奥氏体晶粒长大影响的综合作用所导致的。

摘要： 采用传统的陶瓷烧结工艺制备B_(2)O_(3),In_(2)O_(3),Al_(2)O_(3)多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1%~0.4%,摩尔分数)的B_(2)O_(3)对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱及数字源表等分别对样品的物相、微观形貌、成分及电性能进行表征。结果表明,多元施主掺杂剂(Al_(2)O_(3),In_(2)O_(3)和B_(2)O_(3))的共掺杂明显改善直流ZnO压敏陶瓷的综合性能,其中,Al_(3)+提高样品的电导率,降低样品的残压比;In^(3+)通过钉扎效应限制晶粒的生长,改善样品的电压梯度;B^(3+)的掺杂增加样品的表面态密度,提高势垒高度并有效抑制泄漏电流的增加。B_(2)O_(3)掺杂量为0.3%时,样品的综合性能最优:电压梯度为486 V/mm,泄漏电流密度为0.58μA/cm^(2),非线性系数为85,残压比为1.55。

摘要： 以氢气(H_(2))和甲烷(CH_(4))等为还原剂的气基冶炼,对于解决传统冶金行业所面临的“双碳”问题意义重大。以红土镍矿为研究对象,在不同还原温度、还原时间、气体浓度等条件下,探讨了CH_(4)与红土镍矿中铁镍氧化物的还原行为。并结合XRD、SEM-EDS、气相色谱等表征手段,对红土镍矿及其焙烧产物物相和形貌等进行了深入分析。结果表明:当还原温度为900°C、还原时间为60 min、CH_(4)浓度为50%时,可获得镍品位为3.06%、回收率为52.09%的精矿。精矿中镍品位和回收率较低的原因主要是由于NiO的还原不彻底,即尾矿中仍有大量的镍存于硅酸盐中;以及部分还原后的镍铁合金晶粒过细,易流失于尾矿与滤液中。CH_(4)与红土镍矿的还原过程是在低温下缓慢进行;在高温(900°C)时部分CH_(4)裂解产生H_(2)和炭黑,而主要的还原反应是在CH_(4)和H_(2)的协同作用下进行。

摘要： 近年新兴的磁光成像技术,特别是磁畴动态特性可视化技术,为评估铁磁材料的应力状态提供了一种新的磁检测方法。为研究应力和晶粒组织/晶界对磁畴动态特性的影响,通过磁光成像装置,观测取向硅钢片在施加不同的应力和外加磁场时表面磁畴结构的变化。结果表明:应力作用下,附加磁畴数量减少,从点状附加磁畴转变为长条状主磁畴,且应力增加会使主磁畴平均宽度减小,主磁畴完全翻转所需要的磁场减小;外加磁场作用下,可使磁畴向磁场方向转动,磁场强度的增加,使与外加磁场同向的磁畴面积增加。同时,晶粒组织结构和内部的各向异性,以及晶界处的能量和钉扎作用,都会影响磁畴结构和磁畴壁的运动状态。研究结果有助于理清铁磁构件的磁弹耦合效应和磁检测技术的微观物理机制,为提高应力评估的灵敏度和可靠性提供重要的科学依据。

摘要： 开尔文探针原子力显微镜(KPFM)采用开尔文(Kelvin)方法来测量探针和样品间的电势差,是一种基于扫描探针原子力显微镜的半导体薄膜样品表面功函数(表面电势)测量方法,其可以在测试样品表面形貌的同时获得与形貌相对应位置的表面功函数分布图。使用KPFM测试碲化隔多晶薄膜样品退火前后的表面电势的变化,可以分析多晶薄膜晶界和晶粒处的表面功函数的差异。测试结果对于分析多晶半导体薄膜在晶界和晶粒内部的载流子输运及界面钝化具有重要意义。KPFM具有很高的分辨率和灵敏性,很适合用于多晶半导体薄膜表征测试。

摘要： 通过引入最低能量法则、改进晶界元胞的识别算法,建立晶粒演化的元胞自动机模型(Cellular Automata,CA).利用该模型研究了TA15钛合金β单相状态下退火过程中的晶粒演化：展示了晶粒形貌、拓扑结构的变化;分析了晶粒生长过程的动力学特征并求得了生长指数;对模拟空间的晶粒尺寸进行了标定.结合模拟过程,做了相关验证性实验,二者结果吻合较好.考察了温度因素对晶粒生长的影响,研究了非均匀温度场下晶粒生长过程及形貌分布特征.

摘要： 研究了常规粒度和小晶粒MCM-22分子筛用于1-丁烯脉冲芳构化的反应性能，并采用程序升温氧化技术考察了它们经不同温度反应后的积碳情况。结果表明，同常规粒度MCM-22分子筛相比，小晶粒MCM-22分子筛具有较高的丁烯芳构化性能及容碳能力，显示出小晶粒分子筛在催化转化中的优越性。

摘要： 研究了常规粒度和小晶粒MCM-22分子筛用于1-丁烯脉冲芳构化的反应性能，并采用程序升温氧化技术考察了它们经不同温度反应后的积碳情况.结果表明，同常规粒度MCM -22分子筛相比，小晶粒MCM-22分子筛具有较高的丁烯芳构化性能及齐碳能力，显示出小晶粒分子筛在催化转化中的优越性.

摘要： 利用稳态量热计法测定了2D、3DC/SiC复合材料高温热处理前后，在90°C时的半球向总发射率，研究了高温热处理对C/SiC热辐射性能的影响。结果表明，C/SiC复合材料具有较好的热辐射性能;高温热处理后SiC基体晶粒长大明显且伴随有SiC的挥发，C/SiC复合材料的热辐射性能有所变化。

摘要： 研究了TA15钛合金锻件多火次无变形后的组织、力学性能。结果表明:随着加热火次的增加,锻件强度塑性下降,组织中的晶粒尺寸增大,初生αp量减少;断口分析显示,随火次增加,由韧性断裂向脆性断裂转变.

摘要： 针对管线用钢板对屈强比、低温冲击塑性性能的严格要求，我们优化了坯料成分、提高了钢的纯净度，针对本次要求较高的屈服强度，从轧制工艺上进行了3种不同控制轧制的试验，结合钢板微观组织结构分析，找到了最为适合济钢中板厂控制轧制的工艺制度，以微细亚结构、高位错晶粒，保证了优良的钢板性能，为今后生产高等级专用板提供了良好的借鉴。

摘要： 利用扫描电镜的EBSD附件,对大生产不同终轧温度下的碳素钢热连轧板晶粒尺寸,晶粒取向分类等进行研究。结果表明:在试验温度范围内,热连轧板的晶粒尺寸随终轧温度的降低明显细化,靠近试样表面均有细晶层,细晶层的晶粒也随终轧温度的降低而细化。随着终轧温度的降低,钢板中大角晶界增多小角晶界减少且表层更明显。表明终轧温度越低变形量越大铁素体再结晶越充分。铁素体动态再结晶轧制,可最大限度地细化铁素体晶粒,而形变诱导相变转变所获得的铁素体晶粒要比温度控制转变所得到的铁素体晶粒细。

摘要： 采用喷射-沉淀法成功地制备了纳米晶Ni-Zn铁氧体粉料。通过XRD、TG-DSC、SEM、TEM和BET等测试手段分析了其微观结构和形貌.结果表明：沉淀剂种类和溶液pH值对喷射-共沉淀法制备Ni-Zn铁氧体纳米粉的物相和结构有着显著影响。采用NaOH溶液为沉淀剂,pH值范围为7.0～7.5,可以获得颗粒细小均匀、形状完整的纳米晶Ni-Zn铁氧体粉料。在600°C煅烧1.5h,样品晶粒尺寸为30nm左右,平均颗粒尺寸小于100nm.

摘要： 将电子束冷床炉熔炼的扁锭分别进行横、纵方向剖切,观察其低倍结晶组织,与真空自耗电弧炉熔炼的圆彤铸锭对比组织和结晶上的差异,并进行横向、纵向上成分均匀性研究,观察缩孔的形貌,研究结果表明:电子束冷床炉可以生产成分均匀性高、组织得到改善、冒口小的钛铸锭.

摘要： 将电子束冷床炉熔炼的扁锭分别进行横、纵方向剖切,观察其低倍结晶组织,与真空自耗电弧炉熔炼的圆彤铸锭对比组织和结晶上的差异,并进行横向、纵向上成分均匀性研究,观察缩孔的形貌,研究结果表明:电子束冷床炉可以生产成分均匀性高、组织得到改善、冒口小的钛铸锭.

摘要： 一种积体电路(100)包括：第一晶粒(105，110)；第二晶粒(115)，其中，该第一晶粒可配置于其上；多个晶粒间连线(205，205A，205B)，其耦接该第一晶粒至该第二晶粒；以及多个探针垫片(120，120A，120B，120C，120D，120E)，其中每个探针垫片系耦接(305，310，405，410)至至少一个晶粒间连线。该第一晶粒可被架构以建立将该第一探针垫片耦接至该第二探针垫片的内连线(315，415，420，515)。在一些实施例中，每个探针垫片系耦接微凸块(210)，并且内连线将微凸块彼此耦接。一些实施例利用了透过第二晶粒延伸的直通硅晶穿孔。也揭露了测试所描述的积体电路的方法。

摘要： 本发明揭露一种晶粒定位装置、晶粒定位系统与晶粒定位方法。晶粒定位装置包含滚筒本体、多个晶粒吸取部与至少一气体控制装置。滚筒本体其内具有多个彼此互相隔离的空腔。晶粒吸取部条列位于滚筒本体表面。每一条列的晶粒吸取部是对应于一空腔，且每一晶粒吸取部均分别具有晶粒吸附区以及贯穿晶粒吸附区的气体通道。气体控制装置连接空腔，且设置于滚筒本体上。气体控制装置可选择性地对空腔抽气，使得每一位于抽气空腔上的晶粒吸取部可通过其气体通道将晶粒吸附至其晶粒吸附区，而当气体控制装置停止对抽气空腔抽气时，被吸附的晶粒将被释放至一预定位置。

摘要： 本发明涉及一种用于钢的晶粒细化的方法。将一种具有FeXY成分的晶粒细化合金加入到钢水中，加入量在钢水重量的0.01%至5%之间，然后对钢水进行浇铸，在具有FeXY成分的晶粒细化合金中，X是从包括Cr、Mn、Si、Ni和Mo的一组元素中选择的一种或者多种元素，而Y是从包括Ce、La、Nd、Pr、Ti、Al、Zr、Ca、Ba、Sr、Mg、C和N的一组元素中选择的元素并且能够形成一种或多种氧化物和/或硫化物和/或氮化物和/或碳化物，其中X的含量在合金重量的0.001%至99%之间，Y的含量在合金重量的0.001%至50%之间，所述合金还含有重量百分比在0.001%至2%之间的氧和/或重量百分比在0.001%至2%之间的硫，所述合金每立方毫米含有至少1000个夹杂物颗粒，所述夹杂物颗粒包括Y元素的一种或多种氧化物和/或硫化物和/或氮化物和/或碳化物，和/或X元素Cr、Mn和Si中的一种或者多种以及Fe，所述夹杂物颗粒的平均直径小于10微米。本发明还涉及一种用于钢的晶粒细化合金以及用于生产晶粒细化合金的方法。

摘要： 一种积体电路(100)包括：第一晶粒(105，110)；第二晶粒(115)，其中，该第一晶粒可配置于其上；多个晶粒间连线(205，205A，205B)，其耦接该第一晶粒至该第二晶粒；以及多个探针垫片(120，120A，120B，120C，120D，120E)，其中每个探针垫片系耦接(305，310，405，410)至至少一个晶粒间连线。该第一晶粒可被架构以建立将该第一探针垫片耦接至该第二探针垫片的内连线(315，415，420，515)。在一些实施例中，每个探针垫片系耦接微凸块(210)，并且内连线将微凸块彼此耦接。一些实施例利用了透过第二晶粒延伸的直通硅晶穿孔。也揭露了测试所描述的积体电路的方法。

摘要： 本发明公开了一种多晶粒选择器装置，该多晶粒选择器装置包括具有外表面的外部主体。外部主体包括被配置成面向铸造炉的冷却板的冷却侧和被配置成面向模具中的相对的模具侧。外部主体包括各自由两个或更多个横向取向的细长通道形成的多个晶粒选择器柱的阵列，该横向取向的细长通道以端对端布置方式彼此流体地联接，该端对端布置方式沿从外部主体的冷却侧朝向外部主体的模具侧延伸的生长方向取向。选择器柱延伸到外部主体的模具侧上的生长开口。选择器柱中的每个选择器柱被配置成从对应的生长开口中形成单晶粒柱，该单晶粒柱是将在模具中形成的沿生长方向生长的柱状晶粒制品的一部分。

摘要： 本发明涉及一种碳钢连铸过程的晶粒细化剂，即金属铈，该金属铈优选为粉体状，通过与连铸钢液混合，可将连铸坯的等轴晶率大大提高，晶粒细化效果显著，同时降低钢中夹杂物的尺寸。本发明还提供了一种便于添加到钢液中的晶粒细化剂产品，即一种含有金属铈的晶粒细化剂包芯线，以及一种碳钢连铸过程的晶粒细化方法，具体是采用结晶器喂丝法使所述晶粒细化剂包芯线与钢液进行混合，适用于连铸工艺过程中。该添加晶粒细化剂金属铈的方法，通过控制喂丝的速度，即可实现自动化、在线精确控制铈粉的添加量。

摘要： 本发明提出一种晶粒取放方法。首先，提供一已完成切割的晶片，晶片具有多个晶粒，将多个晶粒进行等级的分类。并且提供多个承载结构，利用一移动载具将已完成等级的分类的晶粒分别放置于所对应的承载结构上，并且每一个承载结构上的多个晶粒的范围呈类圆形的排列方式进行设置。本发明亦提出一种晶粒取放的承载结构以及晶粒取放装置。

摘要： 本发明揭露一种晶粒定位装置、晶粒定位系统与晶粒定位方法。晶粒定位装置包含滚筒本体、多个晶粒吸取部与至少一气体控制装置。滚筒本体其内具有多个彼此互相隔离的空腔。晶粒吸取部条列位于滚筒本体表面。每一条列的晶粒吸取部是对应于一空腔，且每一晶粒吸取部均分别具有晶粒吸附区以及贯穿晶粒吸附区的气体通道。气体控制装置连接空腔，且设置于滚筒本体上。气体控制装置可选择性地对空腔抽气，使得每一位于抽气空腔上的晶粒吸取部可通过其气体通道将晶粒吸附至其晶粒吸附区，而当气体控制装置停止对抽气空腔抽气时，被吸附的晶粒将被释放至一预定位置。

摘要： 本发明涉及一种用于钢的晶粒细化的方法。将一种具有FeXY成分的晶粒细化合金加入到钢水中，加入量在钢水重量的0.01％至5％之间，然后对钢水进行浇铸，在具有FeXY成分的晶粒细化合金中，X是从包括Cr、Mn、Si、Ni和Mo的一组元素中选择的一种或者多种元素，而Y是从包括Ce、La、Nd、Pr、Ti、Al、Zr、Ca、Ba、Sr、Mg、C和N的一组元素中选择的元素并且能够形成一种或多种氧化物和/或硫化物和/或氮化物和/或碳化物，其中X的含量在合金重量的0.001％至99％之间，Y的含量在合金重量的0.001％至50％之间，所述合金还含有重量百分比在0.001％至2％之间的氧和/或重量百分比在0.001％至2％之间的硫，所述合金每立方毫米含有至少1000个夹杂物颗粒，所述夹杂物颗粒包括Y元素的一种或多种氧化物和/或硫化物和/或氮化物和/或碳化物，和/或X元素Cr、Mn和Si中的一种或者多种以及Fe，所述夹杂物颗粒的平均直径小于10微米。本发明还涉及一种用于钢的晶粒细化合金以及用于生产晶粒细化合金的方法。

摘要： 本发明申请涉及一种耐晶粒粗化铜铸锭的生产方法、装置和耐晶粒粗化铜铸锭，生产方法包括下列步骤：将去除表面偏析瘤的阴极铜板进行预热干燥，得到干燥后的铜板；将干燥后的铜板放入熔炼炉内熔融，加入微合金元素并搅拌均匀；微合金元素选自Ca、Cr、S、Se、Te或Zr中的至少一种；采用立式半连续铸造的方法进行铸造作业，铸造速率为50‑100mm/min，并对铸造的结晶器施加机械振动和惰性气体保护，得到耐晶粒粗化铜铸锭。本发明提供的耐晶粒粗化铜的生产方法，通过微合金化元素在铜基体中形成弥散相或晶界偏聚，从而起到钉扎晶界，抑制再结晶晶粒长大的作用，同时由于这些微合金化元素的固溶度较低，对铜导电率影响较小。