用于制造反熔丝结构的半导体制程方法

摘要

本发明公开了一种半导体制程方法，用于制造反熔丝结构。所述半导体制程方法包括使用第一光罩以露出半导体基板之第一阱区，执行第一硼注入操作以于所述第一阱区注入硼，使用第二光罩以露出所述半导体基板之所述第一阱区及第二阱区，及执行第二硼注入操作以于所述第一阱区及所述第二阱区注入硼。