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Method for producing an antifuse in a substrate and an antifuse structure for integration in a substrate

机译:在基板中制造反熔丝的方法以及在基板中集成的反熔丝结构

摘要

Method for producing an antifuse in a substrate, a first interconnect being applied to the substrate, a dielectric layer being applied at an end face of the first interconnect, which end face essentially runs vertically with respect to the substrate, a second interconnect being applied in such a way that it adjoins the dielectric layer with an end face, with the result that an antifuse structure is formed.
机译:在衬底中制造反熔丝的方法,在衬底上施加第一互连,在第一互连的端面上施加介电层,该端面基本上相对于衬底垂直,在衬底上施加第二互连。这样使得它以端面邻接介电层,从而形成反熔丝结构。

著录项

  • 公开/公告号US2005003647A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JURGEN LINDOLF;FLORIAN SCHAMBERGER;

    申请/专利号US20030724007

  • 发明设计人 JURGEN LINDOLF;FLORIAN SCHAMBERGER;

    申请日2003-11-26

  • 分类号H01L21/44;H01L21/326;H01L21/479;H01L21/82;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:19:53

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