抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置和方法

摘要

本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。本发明能够让所述编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器度过早期失效期，将潜在的缺陷尽早暴露，剔除缺陷芯片。