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刘新宇; 刘运龙; 孙海锋; 海潮和; 吴德馨; 和致经; 刘忠立;
中国科学院微电子中心;
中国科学院半导体研究所;
氮化H2-O2合成; 抗辐照; 快速热退火; 薄膜;
机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
机译:伽马射线辐照对薄栅氧化物VDMOSFET特性的影响
机译:模拟太阳辐照下具有高光催化降解效率的氧掺杂介孔石墨氮化物的容易合成
机译:N +注入到多晶硅/热氧化物/硅结构中获得的薄栅氧氮化物的电学表征
机译:具有氮化钽栅电极的氮氧化ha MOSFET的材料和器件特性的研究
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:用于频率捷变微型天线的新材料:电介质合成和薄氧氮化物薄膜的表征
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:高度掺杂氮的极薄型氧氮化物栅介电层的形成方法
机译:含钛氧氮化物层的具有抗渗特性的玻璃
机译:具有抗反射特性和低漏电流的氧氮化物层的制造方法
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