机译:通过选择性区域生长获得的InGaAsP和InGaAs层中的微X射线荧光和微光致发光
Agere Systems, Semiconductor Photonics Research, 9999 Hamilton Blvd., Breinigsville, PA 18031, USA;
A1. synchrotron radiation; A1. X-ray fluorescence; A3. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. selective epitaxy; B1. InGaAsP-InP; B2. semiconducting quaternary alloys;
机译:埋入式光栅结构在InP波纹上选择性生长InGaAsP吸收层
机译:使用阴影掩膜生长的多波长InGaAs / InGaAsP应变层MQW激光阵列
机译:通过使用Fe离子注入和快速热退火的后生长工艺实现半绝缘InGaAsP / InP层
机译:InGaAsP选择性面积生长层的X射线微折磨研究
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:一个10通道多量子阱阵列,与INP上的选择区域生长的InGaAsp层集成