首页> 中文期刊> 《中国有色金属学报》 >1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质

1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质

         

摘要

经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1~10 μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上.在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5~1.525 μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109μW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象.该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景.

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