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CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF Mo,Re,AND Ta FILMS

机译:Mo,Re和Ta薄膜的化学气相沉积

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摘要

The conditions for depositing single-phase Ta and Re films were determined by thermodynamic analysis of the vapor-phase reduction of TaBr_5 and ReCl_5 with cadmium at 10~5 Pa. Tantalum deposition in the TaBr_5-Cd system is possible at lower temperatures (750-800 K for Br:Cd>2:1 ) than that in the TaCl_5-Cd system (T>1050 K). Dense molybdenum, tantalum, and rhenium coatings (including multilayers) on molybdenum and copper substrates were obtained by reducing MoCl_5,TaBr_5,and ReCl_5 with cadmium.
机译:通过热力学分析TaBr_5和ReCl_5在10〜5 Pa的镉下的汽相还原,确定了单相Ta和Re膜的沉积条件。TaBr_5-Cd系统中的钽可能在较低温度下(750- Br:Cd> 2:1)比TaCl_5-Cd系统的温度高800 K(T> 1050 K)。通过用镉还原MoCl_5,TaBr_5和ReCl_5,可以在钼和铜基板上获得致密的钼,钽和rh涂层(包括多层膜)。

著录项

  • 来源
    《Inorganic Materials》 |1999年第10期|985-987|共3页
  • 作者

    O.YU.GONCHAROV;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:39:18

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