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一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法及其产品和应用

摘要

本发明涉及光催化薄膜材料技术领域,具体涉及一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法及其产品和应用;具体的以氩气作为溅射气体,氮气作为反应气体,采用双靶共溅射的方法在衬底表面制备基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜,所述双靶分别为钽靶和钼靶;本发明提供一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法。首次将TaN薄膜应用于光催化领域,通过磁控溅射真空镀膜技术,选择Mo作为掺杂剂来改善TaN薄膜光催化性能从而改善薄膜的光吸收性能和薄膜内载流子迁移特性,提高光催化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112981344B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏镕耀新材料有限公司;

    申请/专利号CN202110161969.7

  • 发明设计人 顾明道;李兴鳌;杜明;张健;

    申请日2021-02-05

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/54(20060101);C02F1/30(20060101);C02F101/30(20060101);

  • 代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张雪

  • 地址 210023 江苏省南京市经济技术开发区龙潭街道长江西北路98号

  • 入库时间 2022-08-23 12:53:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-04

    授权

    发明专利权授予

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