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公开/公告号CN114015996A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院;
申请/专利号CN202111328010.4
发明设计人 梁秀兵;张毅勇;张志彬;胡振峰;何鹏飞;王鑫;
申请日2021-11-10
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/16(20060101);C22C30/00(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人张晶
地址 100071 北京市丰台区东大街53号
入库时间 2023-06-19 14:08:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-08
公开
发明专利申请公布
机译: 高熵合金薄膜涂层及其制备方法
机译: 难熔的聚烯烃薄膜及其制备方法
机译:一种由电沉积铁薄膜制备纳米结构α-Fe2O3薄膜的新颖原位制备方法,用于有效的光电催化水分解和有机污染物的降解
机译:一种快速方便的热致变色VO2薄膜的制备方法
机译:一种用于室温酒精和丙酮传感器的三维草状碳掺杂ZrO_2薄膜的原位制备方法
机译:钙钛矿太阳能电池CH_3NH_3PBL_3薄膜的一种新型制备方法
机译:用密度函数理论计算的难熔BCC高熵合金中的堆叠故障能量,分析了推断统计
机译:激光熔覆沉积制备WxNbMoTa难熔高熵合金
机译:Ni @ Cu衬底均匀大面积石墨烯薄膜的一种新型制备方法
机译:铍,钛和难熔金属的金相制备方法