磁控溅射CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系

摘要

对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究.CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～-150V之间变化.利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力.AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好.最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件.