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章晓文; 恩云飞; 肖庆中;
中国电子学会;
广东省电子学会;
广东省仪器仪表学会;
MOS双极器件; 绝缘栅双极晶体管; 失效机理; 封装工艺; 可靠性分析;
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机译:IGBT器件(IR,IXYS)的失效机理和耐用性的比较研究
机译:MOS器件超薄氧化物的可靠性表征和失效机理。
机译:透射电子显微镜中原位时间依赖性介电击穿:理解微电子器件失效机理的可能性
机译:截止后短路时沟槽IGBT的失效机理
机译:微电子器件失效与可靠性研究,季刊,1968年10月1日至1968年12月31日
机译:使用实时光信号进行晶圆级器件介电可靠性研究的方法和装置
机译:用于MOSFET器件可靠性研究的环形振荡器设计及其用于在线监测
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