Si基GaN功率器件辐照失效机理与可靠性研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 GaN功率器件辐照可靠性研究意义

1.2.1 电离辐射效应

1.2.2 非电离辐射效应

1.3 GaN功率器件辐照效应研究现状

1.4 本文构架和主要内容

第二章 GaN功率器件基本特性与辐照损伤机理

2.1.1 自发极化和压电极化效应

2.1.2 二维电子气的形成

2.2 辐照损伤对GaN器件特性的影响

2.2.1 γ射线辐照损伤

2.2.2 电子辐照损伤

2.2.3 质子辐照损伤

2.2.4 中子辐照损伤

2.3.1 淀积钝化层的GaN器件

2.3.2 淀积栅介质的GaN器件

2.4 本章小结

第三章 GaN功率器件 γ射线辐照效应研究

3.1 γ射线辐照实验环境以及实验样品

3.2 耗尽型GaN器件 γ射线辐照效应

3.2.1 AlGaN/GaN器件直流特性变化

3.2.2 变频C-V特性测试法

3.2.3 实验测试结果与理论分析

3.3.1 增强型GaN器件 γ射线辐照实验方案

3.3.2 P-GaN gate结构GaN器件直流特性变化

3.3.3 实验结果分析

3.4 本章小结

第四章 GaN功率器件电子辐照效应研究

4.1 电子辐照实验环境与样品

4.2.1 电子辐照实验方案

4.2.2 GaN器件直流特性以及参数变化

4.2.3 实验测试结果分析

4.3.1 电应力下P-GaN栅极失效理论

4.3.2 GaN器件电子辐照效应理论分析

4.4 本章小结

第五章 总结与展望

5.1 总结

5.2 展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的研究成果