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侯志刚; 许新新; 张宪敏; 于英霞; 李惠军;
山东大学孟,微电子研发中心,济南,250100;
超大规模集成电路; 特征尺寸; 超深亚微米; 小尺寸效应; 失效; 可靠性;
机译:重离子辐照对超深亚微米部分耗尽SOI器件的影响
机译:使用带沟槽的nMOSFET在低功率应用中分析超深亚微米CMOS器件中的I_(ON)/ I_(OFF)
机译:与平面nMOSFET相比,使用带槽nMOSFET的超深亚微米CMOS器件增强了/ on / I_(off)
机译:超深亚微米轻掺杂NMOSFET的自限热载流子降解机理研究
机译:超深亚微米(VDSM)SoC的功耗感知型内存系统设计。
机译:透射电子显微镜中原位时间依赖性介电击穿:理解微电子器件失效机理的可能性
机译:透射电子显微镜中的原位时间依赖性介电击穿:有可能理解微电子器件中的失效机理
机译:微电子器件失效与可靠性研究,季刊,1968年10月1日至1968年12月31日
机译:具有零阈值器件的电平转换器,用于超深亚微米CMOS设计
机译:超深井提升容器多种失效模式的可靠性稳健设计方法
机译:超深井提升容器多重失效模式的稳定可靠设计方法
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