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VDMOS功率器件的失效模式和失效机理研究动态

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摘要

VDMOS功率器件在混合集成电路中的使用率非常高,因此其可靠性显得相当重要.本文着重讨论了VDMOS功率器件应用于高温环境下的电学参数变化,二次击穿的影响,以及简单介绍电迁移、键合与贴片工艺引发的失效.

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来源
《中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会》|2008年|232-237|共6页
会议地点海口
作者

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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可靠性及例行试验;BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
VDMOS功率器件; 混合集成电路; 失效模式; 可靠性; 二次击穿; 电迁移; 贴片工艺;

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