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施建根; 孙伟锋; 景伟平; 孙海燕; 高国华;
东南大学,南京,210096;
南通富士通微电子股份有限公司,江苏,南通,226006;
南通大学,江苏,南通,226019;
IGBT; 装片; 空洞; 热阻; 失效研究;
机译:高速IGBT的特性改进和应用:引入IGBT本身的特点,并向逆变器安装装置中IGBT的基本应用电路的使用指向点
机译:电动机驱动器引起的IGBT模块引起的IGBT模块因功率半导体器件的不均匀阻抗而磨损失效
机译:功率器件冷却技术:以最新的IGBT到DC / DC转换器和DC / AC逆变器的应用为例,说明散热措施,例如损耗计算和散热片的选择。
机译:优化模具厚度以防止功率器件中的焊料空洞引起的电热失效
机译:用于高级IC器件的片上铜/低k互连:材料集成和工艺优化研究。
机译:通过设计获得的质量I:失效模式效应分析(FMEA)和Plackett-Burman实验设计在确定盐酸罗布沙星速释片的配方和工艺设计空间中的主要因素时的应用
机译:高压SiC-IGBT器件小型化研究
机译:两年大鼠研究中组织切片的评估报告,来自宾夕法尼亚大学的072883封面信函。
机译:形成半导体器件自对准硅化物的方法,以防止选择性硅化物工艺中栅极电极图案的顶部失效
机译:单一封装中的半导体器件,具有高布线密度和散热片
机译:IGBT器件背面结构及其制备方法和IGBT器件
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