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黎长源; 项永金; 王少辉;
格力电器(合肥)有限公司 合肥 230088;
主动式PFC升压电路; IGBT; SOA; 闩锁效应; ESD; 热击穿失效;
机译:电动机驱动器引起的IGBT模块引起的IGBT模块因功率半导体器件的不均匀阻抗而磨损失效
机译:大功率半导体激光器铟焊料芯片键合的可靠性研究
机译:东芝具有新的结构IGBT开发功率损耗至40%功率半导体加固。
机译:纳米级部分窄台面IGBT(PNM-IGBT)的RBSOA可靠性研究
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:功率半导体的平行协会:用IGBT和MOSFET进行实验评估
机译:新型功率半导体绝缘栅双极晶体管(IGBT)特性研究及其在汽车点火中的应用
机译:功率半导体器件功率半导体模块中使用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其功率半导体组件的横向边缘布置在导线上,与非导电绝缘体相邻
机译:用于操作功率半导体组件的方法,例如绝缘栅双极晶体管(IGBT),涉及在组件启动阶段将功率半导体组件的栅发射极电压限制为临界电压
机译:功率半导体开关的接通/断开控制的方法,例如用于操作IGBT,需要在关闭过程之前确定功率半导体开关的实际集电极-发射极电流
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