薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件击穿性能差和输出电流小的问题。其技术方案是：在器件的SiN钝化层生长工艺中引入自对准技术、利用薄厚SiN钝化层对沟道的调制作用形成准LDD‑HEMT。该器件自下而上包括：衬底，AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层和栅、源、漏电极，其中SiN钝化层包括两层，在完成栅极制作之后，先利用栅极的自对准作用淀积第一层SiN钝化层，然后在栅极与漏极之间靠近漏极区域淀积第二层SiN钝化层形成准LDD结构。本发明的器件的击穿电压和饱和输出电流高，且制作过程中引入的损伤小。