High electron mobility transistors; Gallium nitrides; Hall effect; Mobility;
机译:载流子供应层对AlGaN / GaN / SiC高电子迁移率晶体管的载流子密度和漂移迁移率的影响
机译:用于制造高度均匀的凹槽AlGaN / GaN高电子移动晶体管(HEMT)的自终止接触光电化学(CL-PEC)蚀刻
机译:具有高密度氮化硅钝化的AlGaN / GaN-on-Si高电子迁移率晶体管(HEMT)的可靠性得到改善
机译:使用在X波段具有5W / mm功率密度的深紫外光刻技术在带有倾斜场板的硅基板上制造AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:载流子供应层对AlGaN / GaN / SiC高电子迁移率晶体管的载流子密度和漂移迁移率的影响