退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
田雨; 陈永和; 代一丹; 刘子玉; 马旺;
桂林电子科技大学广西精密导航技术与运用重点实验室 广西桂林 541004;
AlGaN/GaN; 凹槽势垒; 电场; 击穿;
机译:具有不同栅极凹槽深度的Al2O3 / GaN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的特性*
机译:具有不同栅极凹槽深度的Al2O3 / GaN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的特性
机译:具有正常关断能力的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中,AlGaN势垒和由原位生长的SiN和Al_2O_3组成的栅堆叠之间的固定界面电荷
机译:无凹槽的AlGaN / GaN横向肖特基势垒控制肖特基整流器,具有低导通电压和高反向阻断
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:双势垒InalN / alGaN / GaN-on-silicon高电子迁移率晶体管,具有基于pt和Ni的栅极堆叠
机译:具有alsiN钝化的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:在基于GaN的帽段上具有栅极触点的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制造方法
机译:SI掺杂的Algan / GAN高电子迁移率晶体管结构上的肖特基二极管PH传感器
机译:GaN / AlGaN / GaN无分散高电子迁移率晶体管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。