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正偏压温度不稳定性的恢复电路和恢复方法

摘要

一种正偏压温度不稳定性的恢复电路及恢复方法,所述恢复电路包括:待恢复NMOS晶体管和恢复单元,所述待恢复NMOS晶体管的栅极与恢复单元相连接,所述恢复单元包括:开关晶体管的栅极与信号输入端相连接,开关晶体管的漏极与第一电压端相连接,第一电压端提供负的第一工作电压,开关晶体管的衬底与第二电压端相连接,开关晶体管的源极与第二电阻的一端相连接,第二电阻的另一端与信号输出端相连接,第一电阻的一端与信号输入端相连接,第一电阻的另一端与信号输出端相连接。由于第一电压端为负电压,通过调整第一电阻和第二电阻的阻值,可以使得施加在待恢复NMOS晶体管的栅极电压为负电压,从而能获得更好的PBTI特性恢复效果。

著录项

  • 公开/公告号CN103427827B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201210149008.5

  • 发明设计人 冯军宏;甘正浩;

    申请日2012-05-14

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-06

    授权

    授权

  • 2013-12-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/094 申请日:20120514

    实质审查的生效

  • 2013-12-04

    公开

    公开

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