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Journal of Semiconductors

中文名称：半导体学报

ISSN：1674-4926
出版周期：Monthly

发文量：2183

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1.A broadband regenerative frequency divider in InGaP/GaAs HBT technology

机译：InGaP / GaAs HBT技术中的宽带再生分频器
- 作者：Zhang Jincan;Zhang Yuming;Lü Hongliang;Zhang Yimen;Liu Min;Zhong Yinghui;Shi Zheng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- regenerative frequency divider;
- InGaP/GaAs HBT;
- active loads;
- broadband;
2.Photoelectric characteristics of an inverse U-shape buried doping design for crosstalk suppression in pinned photodiodes

机译：反向U形掩埋掺杂设计的光电特性，可抑制固定光电二极管中的串扰
- 作者：Cao Chen;Zhang Bing;Li Xin;Wu Longsheng;Wang Junfeng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第11期
- CMOS image sensor;
- electrical crosstalk;
- photoelectric performance design;
- pinned photodiode;
3.A low-leakage and NBTI-mitigated N-type domino logic

机译：低泄漏和NBTI缓解的N型多米诺骨牌逻辑
- 作者：Liang Huaguo;Xu Hui;Huang Zhengfeng;Yi Maoxiang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第1期
- domino logic circuit;
- negative bias temperature instability;
- leakage current;
- standby mode;
4.Conversion algorithm for MPRM expansion

机译：MPRM扩展的转换算法
- 作者：Wang Pengjun;Wang Zhenhai;Xu Rui;Jiang Zhidi;Wang Disheng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
- XOR decomposition;
- mixed polarity;
- MPRM expansion;
- conversion algorithm;
5.Ceramic thermal wind sensor based on advanced direct chip attaching package

机译：基于高级直接贴片封装的陶瓷热风传感器
- 作者：Zhou Lin;Qin Ming;Chen Shengqi;Chen Bei
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- advanced direct chip attaching package;
- CFD model;
- ceramic chip;
- thermal wind sensor;
6.The impact of quantum confinement on the electrical characteristics of ultrathinchannel GeOI MOSFETs

机译：量子限制对超薄沟道GeOI MOSFET电气特性的影响
- 作者：Fan Minmin;Xu Jingping;Liu Lu;Bai Yurong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第4期
- GeOI MOSFET;
- quantum confinement;
- subthreshold slope;
- threshold voltage;
7.A 14-bit 50 MS/s sample-and-hold circuit for pipelined ADC

机译：用于流水线ADC的14位50 MS / s采样保持电路
- 作者：Yue Sen;Zhao Yiqiang;Pang Ruilong;Sheng Yun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第5期
- sample/hold circuit;
- pipeline ADC;
- gain-boosted OTA;
- bootstrapped switch;
8.Influence of atomic layer deposition Al_2O_3 nano-layer on the surface passivation of silicon solar cells

机译：原子层沉积Al_2O_3纳米层对硅太阳能电池表面钝化的影响
- 作者：Yang Decheng;Lang Fang;Xu Zhuo;Shi Jinchao;Li Gaofei;Hu Zhiyan;Xiong Jingfeng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第5期
- multi-crystalline silicon solar cells;
- local Al-BSF;
- Al_2O_3;
- passivation;
- atomic layer deposition;
9.First principle studies of structural, elastic, electronic and optical properties of Zn-chalcogenides under pressure

机译：压力下硫族锌化物的结构，弹性，电子和光学性质的第一性原理研究
- 作者：Muhammad Bilal;M. Shafiq;Iftikhar Ahmad;Imad Khan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- semiconductors;
- elastic properties;
- electronic band structures;
10.Electronic structure of (InSb)_m/(HgTe)_n short period superlattices

机译：（InSb）_m /（HgTe）_n短周期超晶格的电子结构
- 作者：Li Jian
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
- (InSb)_m/(HgTe)_n superlattices;
- norm-conserving pseudo-potential;
- electronic band structure;
11.Analytical modeling and simulation of germanium single gate silicon on insulator TFET

机译：绝缘体TFET上锗单栅极硅的分析建模和仿真
- 作者：T. S. Arun Samuel;N. B. Balamurugan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
- tunnel field effect transistor (TFET);
- analytical modelling;
- Poisson equation;
- surface potential;
- electric field;
12.Performance analysis of a low power low noise tunable band pass filter for multiband RF front end

机译：用于多频段射频前端的低功耗低噪声可调谐带通滤波器的性能分析
- 作者：J. Manjula;S. Malarvizhi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
13.Epitaxy of GaAs thin film with low defect density and smooth surface on Si substrate

机译：硅衬底上缺陷密度低且表面光滑的GaAs薄膜的外延
- 作者：Zhou Xuliang;Pan Jiaoqing;Liang Renrong;Wang Jing;Wang Wei
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- surfaces;
- metal-organic chemical vapor deposition;
- photoluminescence;
- III-V materials;
- silicon;
14.Thermal conductivity of PECVD silicon-rich silicon nitride films measured with a SiO_2/Si_xN_y bimaterial microbridge test structure

机译：用SiO_2 / Si_xN_y双材料微桥测试结构测量的PECVD富硅氮化硅膜的热导率
- 作者：Han Jianqiang;Li Yan;Li Senlin;Li Qing
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第4期
- MEMS;
- silicon nitride film;
- thermal conductivity;
- bimaterial microbridge;
15.Microwave-assisted synthesis of Mo-doped H_(1-x)Sr_2Nb_(3-x)Mo_xO_(10) (x D 0, 0.05, 0.1, 0.15 and 0.2) with high photocatalytic activity

机译：微波辅助合成高光催化活性的Mo掺杂H_（1-x）Sr_2Nb_（3-x）Mo_xO_（10）（x D 0，0.05，0.1，0.15和0.2）
- 作者：Xu Jing;Wei Yuelin;Huang Yunfang;Wang Jing;Chen A’xiang;Fan Leqing;Wu Jihuai
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第8期
- photocatalysis;
- H_(1-x)Sr_2Nb_(3-x)Mo_xO_(10);
- microwave-assisted;
16.Application of a macromolecular chelating agent in chemical mechanical polishing of copper film under the condition of low pressure and low abrasive concentration

机译：高分子螯合剂在低压低磨蚀浓度条件下在铜膜化学机械抛光中的应用
- 作者：Li Yan;Liu Yuling;Niu Xinhuan;Bu Xiaofeng;Li Hongbo;Tang Jiying;Fan Shiyan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第1期
- FA/O chelating agent;
- more hydroxyl amine;
- low pressure and low concentration of abrasive;
- copper CMP;
- surface roughness;
17.A multi coding technique to reduce transition activity in VLSI circuits

机译：减少VLSI电路过渡活动的多编码技术
- 作者：N. Vithyalakshmi;M. Rajaram
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第2期
- CMOS VLSI;
- Hamming distance;
- power dissipation;
- transition activity;
- interconnect;
18.Effects of defects on the electronic properties of WTe_2 armchair nanoribbons

机译：缺陷对WTe_2扶手椅纳米带电子性能的影响
- 作者：Bahniman Ghosh;Abhishek Gupta;Bhupesh Bishnoi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第11期
- electronic property;
- WTe_2 armchair nanoribbons;
- defects;
19.Self-heating and traps effects on the drain transient response of AlGaN/GaN HEMTs

机译：自热和陷阱对AlGaN / GaN HEMT的漏极瞬态响应的影响
- 作者：Zhang Yamin;Feng Shiwei;Zhu Hui;Gong Xueqin;Deng Bing;Ma Lin
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第10期
- AlGaN/GaN HEMTs;
- drain transient response;
- channel temperature rise;
- self-heating;
- traps;
20.Effects of wet-ROA on shallow interface traps of n-type 4H-SiC MOS capacitors

机译：湿ROA对n型4H-SiC MOS电容器浅界面陷阱的影响
- 作者：Zhu Qiaozhi;Wang Dejun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第2期
- SiC;
- MOS;
- shallow interface traps;
- wet-ROA;
- interface transition region;
21.A low-power current self-adjusted VCO using a bottom PMOS current source

机译：使用底部PMOS电流源的低功耗电流自调节VCO
- 作者：Sheng Zhixiong;Yu Fengqi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第9期
- low-power;
- phase-noise;
- quality factor;
- current self-adjusted technique;
- voltage-controlled oscillator;
22.An accurate RLGC circuit model for dual tapered TSV structure

机译：用于双锥形TSV结构的精确RLGC电路模型
- 作者：Wei Zhen;Li Xiaochun;Mao Junfa
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第9期
- tapered TSV;
- RLGC circuit model;
- numerical integration method;
- current continuity;
- eddy effect;
23.Analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors failure mechanism under semi-on DC stress

机译：半导通直流应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的失效机理分析
- 作者：Yang Zhen;Wang Jinyan;Xu Zhe;Li Xiaoping;Zhang Bo;Wang Maojun;Yu Min;Zhang Jincheng;Ma Xiaohua;Li Yongbing
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第1期
- AlGaN/GaN HEMT;
- reliability;
- semi-on DC stress;
- hot electron effect;
24.Monolithic integration of a silica-based 16-channel VMUX/VDMUX on quartz substrate

机译：基于石英的16通道VMUX / VDMUX的单片集成在石英基板上
- 作者：Dai Hongqing;An Junming;Wang Yue;Zhang Jiashun;Wang Liangliang;Wang Hongjie;Li Jianguang;Wu Yuanda;Zhong Fei;Zha Qiang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第10期
- monolithic integration;
- quartz substrate;
- VMUX/VDMUX;
- AWG;
- thermo-optic VOA;
25.Fabrication of four-channel DFB laser array using nanoimprint technology for 1.3 μm CWDM systems

机译：使用纳米压印技术为1.3μmCWDM系统制造四通道DFB激光器阵列
- 作者：Zhao Jianyi;Chen Xin;Zhou Ning;Huang Xiaodong;Liu Wen
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第11期
- semiconductor laser;
- nanoimprint;
- distributed feedback;
26.A fully-differential phase-locked loop frequency synthesizer for 60-GHz wireless communication

机译：用于60 GHz无线通信的全差分锁相环频率合成器
- 作者：Kuang Lixue;Chi Baoyong;Chen Lei;Jia Wen;Wang Zhihua
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第12期
- millimeter-wave;
- frequency synthesizer;
- quadrature injection-locked divider;
- CMOS;
27.Analytical model for subthreshold current and subthreshold swing of short-channel double-material-gate MOSFETs with strained-silicon channel on silicon-germanium substrates

机译：硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
- 作者：Pramod Kumar Tiwari;Gopi Krishna Saramekala;Sarvesh Dubey;Anand Kumar Mukhopadhyay
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第10期
- strained-Si channel;
- Si_(1-x)Ge_x substrate;
- dual-metal gate;
- subthreshold current;
- subthreshold swing;
28.Growth and properties of GaAs nanowires on fused quartz substrate

机译：GaAs纳米线在熔融石英衬底上的生长和性能
- 作者：Zhao Yufeng;Li Xinhua;Wang Wenbo;Zhou Bukang;Duan Huahua;Shi Tongfei;Zeng Xuesong;Li Ning;Wang Yuqi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第9期
- GaAs nanowires;
- molecular beam epitaxy;
- fused quartz;
- zinc blende structure;
- photoluminescence;
29.IC design of low power, wide tuning range VCO in 90 nm CMOS technology

机译：采用90 nm CMOS技术的低功耗，宽调谐范围VCO的IC设计
- 作者：Li Zhu;Wang Zhigong;Li Zhiqun;Li Qin;Liu Faen
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第12期
- CMOS;
- microwave;
- millimeter wave;
- IMOS varactor;
- phase noise;
- voltage controlled oscillators;
30.Simulating and modeling the breakdown voltage in a semi-insulating GaAs P~+N junction diode

机译：半绝缘GaAs P〜+ N结二极管的击穿电压仿真与建模
- 作者：A. Resfa;Brahimi. R. Menezla;M. Benchhima
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第8期
31.The total dose effects on the 1/f noise of deep submicron CMOS transistors

机译：总剂量对深亚微米CMOS晶体管的1 / f噪声的影响
- 作者：Hu Rongbin;Wang Yuxin;Lu Wu
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第2期
- total dose;
- radiation;
- 1/f noise;
- CMOS;
32.Design of two-terminal PNPN diode for high-density and high-speed memory applications

机译：用于高密度和高速存储应用的两端PNPN二极管设计
- 作者：Tong Xiaodong;Wu Hao;Liang Qingqing;Zhong Huicai;Zhu Huilong;Zhao Chao;Ye Tianchun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第1期
- PNPN diode;
- memory cell;
- high-density;
33.Effect of re-oxidation annealing process on the SiO_2/SiC interface characteristics

机译：再氧化退火工艺对SiO_2 / SiC界面特性的影响
- 作者：Yan Hongli;Jia Renxu;Tang Xiaoyan;Song Qingwen;Zhang Yuming
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第6期
- SiO_2/SiC;
- re-oxidation annealing;
- effective dielectric charge;
- interface trap;
34.A novel symmetrical split-gate structure for 2-bit per cell flash memory

机译：每单元2位闪存的新型对称对称分裂门结构
- 作者：Fang Liang;Kong Weiran;Gu Jing;Zhang Bo;Zou Shichang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- split-gate flash;
- 2-bit per cell;
- self-aligned process;
35.Breakdown voltage enhancement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by polyimide/chromium composite thin film passivation

机译：聚酰亚胺/铬复合薄膜钝化技术提高AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
- 作者：Chu Futong;Chen Chao;Liu Xingzhao
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
- AlGaN/GaN;
- breakdown voltage;
- high-electron-mobility transistors;
- polyimide;
36.Remodulation scheme based on a two-section reflective SOA

机译：基于两部分反射式SOA的重新调制方案
- 作者：Jiang Guiying;Huang Lirong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第5期
- reflective semiconductor optical amplifier;
- remodulation scheme;
- optical network unit;
37.Reducing the mechanical action of polishing pressure and abrasive during copper chemical mechanical planarization

机译：降低铜化学机械平面化过程中抛光压力和磨料的机械作用
- 作者：Jiang Mengting;Liu Yuling
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第12期
- planarization capability;
- mechanical action;
- alkaline slurry;
- softer gentler polishing;
38.Static characteristics and short channel effect in enhancement-mode AlN/GaN/AlN N-polar MISFET with self-aligned source/drain regions

机译：具有自对准源/漏区的增强模式AlN / GaN / AlN N极MISFET中的静态特性和短沟道效应
- 作者：Li Bin;Wei Lan;Wen Cai
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第12期
- GaN;
- enhancement-mode;
- short channel effect;
- MISFET;
39.Significant improvement of ZnS film electrical and optical performance by indium incorporation

机译：通过掺入铟可以显着改善ZnS薄膜的电学和光学性能
- 作者：Chen Jinhuo;Li Wenjian
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第9期
- ZnS;
- indium incorporation;
- thin film;
- semiconductors;
40.A complete and accurate surface-potential based large-signal model for compound semiconductor HEMTs

机译：完整且精确的基于表面电势的化合物半导体HEMT大信号模型
- 作者：Liu Jun;Yu Zhiping;Sun Lingling
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第3期
- surface-potential based;
- compound semiconductor HEMTs;
- large-signal;
- model;
41.Process variation robust current-mode on-chip interconnect signaling scheme

机译：工艺变化鲁棒电流模式片上互连信令方案
- 作者：Wang Xinsheng;Hu Yizhe;Yu Mingyan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第2期
- global interconnect;
- current-mode;
- Monte Carlo;
42.Toluene-sensing properties of In_2O_3 nanotubes synthesized by electrospinning

机译：电纺合成的In_2O_3纳米管的甲苯传感性能
- 作者：Chi Xiao;Liu Changbai;Zhang Jinbao;Liu Li;Li Haiying;He Yue;Bo Xiaoqing;Liu Lili
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第6期
- In_2O_3;
- nanotube;
- toluene;
- gas sensor;
43.Performance analysis of silicon nanowire transistors considering effective oxide thickness of high-k gate dielectric

机译：考虑高k栅极电介质有效氧化物厚度的硅纳米线晶体管的性能分析
- 作者：S. Theodore Chandra;N. B. Balamurugan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第4期
- high-k dielectric;
- hafnium oxide;
- silicon nanowire transistor;
- effective oxide thickness;
44.A single channel, 6-bit 230-MS/s asynchronous SAR ADC based on 2 bits/stage

机译：基于2位/级的单通道6位230-MS / s异步SAR ADC
- 作者：Han Xue;Wei Qi;Yang Huazhong;Wang Hui
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2014年第7期
- analog-to-digital converter;
- successive approximation register;
- asynchronous control logic;
- 2 bits per stage;
45.Improvements on high voltage capacity and high temperature performances of Si-based Schottky potential barrier diode

机译：硅基肖特基势垒二极管的高压容量和高温性能的改进
- 作者：Wang Yongshun;Rui Li;Adnan Ghaffar;Wang Zaixing;Liu Chunjuan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第2期
- Schottky potential barrier diode;
- breakdown voltage;
- I -V characteristics;
- NiPt60 sputtering;
- junction temperature;
46.A high-precision synchronization circuit for clock distribution

机译：用于时钟分配的高精度同步电路
- 作者：Lu Chong;Tan Hongzhou;Duan Zhikui;Ding Yi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- HPSC;
- clock synchronization circuit;
- SMD;
- dynamic compensation circuit;
- binary search;
- interleaved delay units;
47.Extraction of the defect density of states in microcrystalline silicon from experimental results and simulation studies

机译：从实验结果和模拟研究中提取微晶硅状态缺陷密度
- 作者：T. Tibermacine;A. Merazga;M. Ledra;N. Ouhabab
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第9期
48.Modelling of nanostructured TiO_2-based memristors

机译：纳米结构的TiO_2基忆阻器的建模
- 作者：S. S. Shinde;T. D. Dongle
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- memristor;
- linear drift model;
- TiO_2;
49.Heavy ion induced electrical property degradation in sub-100 nm bulk silicon MOS devices

机译：100纳米以下体硅MOS器件中重离子诱导的电性能下降
- 作者：Chen Yehua;An Xia;Wu Weikang;Zhang Yao;Liu Jingjing;Zhang Xing;Huang Ru
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第11期
- heavy ion;
- displacement damage;
- bulk silicon;
50.Direct-bonded four-junction GaAs solar cells

机译：直键四结GaAs太阳能电池
- 作者：Shen Jingman;Sun Lijie;Chen Kaijian;Zhang Wei;Wang Xunchun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第6期
- solar cell;
- gallium arsenide;
- wafer bonding;
51.Preparation and thermal-sensitive characteristic of copper doped n-type silicon material

机译：铜掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性
- 作者：Fan Yanwei;Zhou Bukang;Wang Junhua;Chen Zhaoyang;Chang Aimin
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第1期
- single-crystal silicon;
- deep level impurity;
- copper;
52.Temperature dependent interfacial and electrical characteristics during atomic layer deposition and annealing of HfO_2 films in p-GaAs metal–oxide–semiconductor capacitors

机译：p-GaAs金属-氧化物-半导体电容器中原子层沉积和HfO_2薄膜退火过程中取决于温度的界面和电学特性
- 作者：Liu Chen;Zhang Yuming;Zhang Yimen;Lü Hongliang;Lu Bin
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第12期
- GaAs metal–oxide–semiconductor capacitor;
- temperature;
- interface;
- leakage current;
53.Electro-magnetic weak coupling optical polaron and temperature effect in quantum dot

机译：电磁弱耦合光极化子和量子点中的温度效应
- 作者：M. Tiotsop;A. J. Fotue;S. C. Kenfack;N. Issofa;A. V. Wirngo;M. P. Tabue Djemmo;H. Fotsin;L. C. Fai
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- electric field;
- magnetic field;
- modified LLP;
- polaron energy;
- quantum dot;
- temperature;
54.Performance enhancement of c-CESL-strained 95-nm-gate NMOSFET using trench-based structure

机译：使用基于沟槽的结构增强c-CESL应变的95nm栅极NMOSFET的性能
- 作者：Zhao Di;Luo Qian;Wang Xiangzhan;Yu Qi;Cui Wei;Tan Kaizhou
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第1期
- CESL;
- trench;
- strained NMOSFET;
- SiN;
55.Metal-catalyzed growth of In_2O_3 nanotowers using thermal evaporation and oxidation method

机译：热蒸发和氧化法金属催化In_2O_3纳米塔的生长
- 作者：Liu Jian;Huang Shihua;He Lü
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第12期
- In_2O_3 nanotower;
- metal-catalyzed growth;
- thermal evaporation and oxidation;
- VLS growth mechanism;
56.A low power 11-bit 100 MS/s SAR ADC IP

机译：低功耗11位100 MS / s SAR ADC IP
- 作者：Wang Ya;Xue Chunying;Li Fule;Zhang Chun;Wang Zhihua
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第2期
- analog-to-digital converter;
- SAR;
- hybrid ADC;
57.Influences of ICP etching damages on the electronic properties of metal field plate 4H-SiC Schottky diodes

机译：ICP蚀刻损伤对金属场板4H-SiC肖特基二极管电子性能的影响
- 作者：Wang Hui;Niu Yingxi;Yang Fei;Cai Yong;Zhang Zehong;Zeng Zhongming;Wang Minrui;Zeng Chunhong;Zhang Baoshun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- inductively coupled plasma etching;
- silicon carbide;
- Schottky diodes;
- current–voltage characterization;
58.Novel pre-equalization transimpedance amplifier for 10 Gb/s optical interconnects

机译：适用于10 Gb / s光学互连的新型预均衡互阻放大器
- 作者：Song Qiwei;Mao Luhong;Xie Sheng;Kang Yuzhuo
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- pre-equalized;
- G_m-boosting;
- series inductive π-network;
- miller capacitance degeneration;
59.Influence of oxidant passivation on controlling dishing in alkaline chemical mechanical planarization

机译：碱性化学机械平面化中氧化剂钝化对控制凹陷的影响
- 作者：Jia Shaohua;Liu Yuling;Wang Chenwei;Yan Chenqi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第12期
- hydrogen peroxide;
- passivation;
- dishing;
- alkaline;
- Cu CMP;
60.Magneto-polaron induced intersubband optical transition in a wide band gap II-VI semiconductor quantum dot

机译：宽带隙II-VI半导体量子点中磁极化子诱导的子带间光跃迁
- 作者：P. Christina Lily Jasmine;A. John Peter
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- electronic states;
- optical absorption;
- intersubband transition;
- quantum dot;
61.Chemical and electrical properties of (NH_4)_2S passivated GaSb surface

机译：（NH_4）_2S钝化的GaSb表面的化学和电学性质
- 作者：Tao Dongyan;Cheng Yu;Liu Jingming;Su Jie;Liu Tong;Yang Fengyun;Wang Fenghua;Cao Kewei;Dong Zhiyuan;Zhao Youwen
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- surface passivation;
- GaSb;
- XPS;
- TOF-SIMS;
62.An efficient method for comprehensive modeling and parasitic extraction of cylindrical through-silicon vias in 3D ICs

机译：一种高效的3D IC中圆柱形硅通孔的综合建模和寄生提取方法
- 作者：Yao Qiang;Ye Zuochang;Yu Wenjian
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
63.Two-dimensional parasitic capacitance extraction for integrated circuit with dual discrete geometric methods

机译：用双重离散几何方法提取集成电路的二维寄生电容
- 作者：Ren Dan;Xu Xiaoyu;Qu Hui;Ren Zhuoxiang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第4期
- capacitance extraction;
- dual discrete geometric methods;
- energy complementary;
- electrostatic field;
64.Characteristics of sputtered Y-doped IZO thin films and devices

机译：溅射Y掺杂IZO薄膜和器件的特性
- 作者：Wang Dandan;Wang Qingpu;Wang Hanbin;Zhang Xijian;Wu Liwei;Li Fujie;Yuan Shuai
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第9期
- Y doped IZO;
- thin film;
- TFT;
- active layer;
65.High-speed low-power voltage-programmed driving scheme for AMOLED displays

机译：AMOLED显示器的高速低功耗电压编程驱动方案
- 作者：Xia Xingheng;Wu Weijing;Song Xiaofeng;Li Guanming;Zhou Lei;Zhang Lirong;Xu Miao;Wang Lei;Peng Junbiao
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第12期
- active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED);
- low power;
- pixel circuit;
- mixed parallel addressing;
66.Thin silicon layer SOI power device with linearly-distance fixed charge islands

机译：具有线性距离固定电荷岛的薄硅层SOI功率器件
- 作者：Zuo Yuan;Li Haiou;Zhai Jianghui;Tang Ning;Song Shuxiang;Li Qi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第5期
- linearly-distanced;
- fixed charge island;
- breakdown voltage;
- dynamic holes;
- on-resistance;
67.Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs

机译：低于20 nm节点的HK / MG后批量FinFET的器件参数优化
- 作者：Xu Miao;Yin Huaxiang;Zhu Huilong;Ma Xiaolong;Xu Weijia;Zhang Yongkui;Zhao Zhiguo;Luo Jun;Yang Hong;Li Chunlong;Meng Lingkuan;Hong Peizhen;Xiang Jinjuan;Gao Jianfeng;Xu Qiang;Xiong Wenjuan;Wang Dahai;Li Junfeng;Zhao Chao;Chen Dapeng;Yang Simon;Ye Tianchun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第4期
- bulk FinFET;
- effective work function (EWF);
- extension thermal budget;
- metal gate;
68.A multifunctional switched-capacitor programmable gain amplifier for high-definition video analog front-ends

机译：用于高清视频模拟前端的多功能开关电容器可编程增益放大器
- 作者：Zhang Hong;Zhang Jie;Zhang Mudan;Li Xue;Cheng Jun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- PGA;
- switched capacitor;
- AFE;
- offset adjustment;
- embedded DAC;
69.Analytical formulas for carrier density and Fermi energy in semiconductors with a tight-binding band

机译：具有紧密结合带的半导体的载流子密度和费米能的解析公式
- 作者：Cao Wenhan
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第4期
- analytical formulas;
- carrier density;
- Fermi energy;
- tight-binding band;
70.A new kind of chelating agent with low pH value applied in the TSV CMP slurry

机译：新型低pH值螯合剂在TSV CMP浆料中的应用
- 作者：Hong Jiao;Liu Yuling;Zhang Baoguo;Niu Xinhuan;Han Liying
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第12期
- low pH value;
- alkaline slurry;
- removal rate;
- roughness;
71.Low cost design of microprocessor EDAC circuit

机译：微处理器EDAC电路的低成本设计
- 作者：Hao Li;Yu Lixin;Peng Heping;Zhuang Wei
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第11期
- error detection and correction;
- hardware implementation;
- microprocessor;
- single-event upsets;
72.Effect of FA/O complexing agents and H_2O_2 on chemical mechanical polishing of ruthenium in weakly alkaline slurry

机译：FA / O络合剂和H_2O_2对弱碱性浆料中钌化学机械抛光的影响
- 作者：Duan Bo;An Weijing;Zhou Jianwei;Wang Shuai
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- Ru chemical mechanical polishing;
- FA/O complexing agents;
- hydrogen peroxide;
- non-ionic surfactant AD;
73.System level simulation of a micro resonant accelerometer with geometric nonlinear beams

机译：具有几何非线性梁的微谐振加速度计的系统级仿真
- 作者：Jiao Wenlong;Yuan Weizheng;Chang Honglong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- micro-electro-mechanical systems;
- system level simulation;
- micro resonant accelerometer;
- nonlinear beam;
- resonator;
74.Electronic, optical, and mechanical properties of Cu_2ZnSnS_4 with four crystal structures

机译：具有四个晶体结构的Cu_2ZnSnS_4的电子，光学和机械性能
- 作者：Zhao Zongyan;Zhao Xiang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
- Cu_2ZnSnS_4;
- DFT calculations;
- electronic structure;
- optical properties;
- mechanic properties;
75.Design of a high linearity and high gain accuracy analog baseband circuit for DAB receiver

机译：DAB接收机的高线性度，高增益精度模拟基带电路设计
- 作者：Ma Li;Wang Zhigong;Xu Jian;Wu Yiqiang;Wang Junliang;Tian Mi;Chen Jianping
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第2期
- complex filter;
- automatic tuning;
- PGA;
- receiver;
- DAB;
- DCOC;
76.Design of a low power 10 bit 300 ksps multi-channel SAR ADC for wireless sensor network applications

机译：用于无线传感器网络应用的低功耗10位300 ksps多通道SAR ADC设计
- 作者：Hong Hui;Li Shiliang;Zhou Tao
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第4期
- low power;
- multi-channels;
- SAR ADC;
- WSN;
- split capacitor array;
77.X-parameter measurement on a GaN HEMT device: complexity reduction study of load-pull characterization test setup

机译：GaN HEMT器件上的X参数测量：降低负载-负载表征测试装置的复杂度研究
- 作者：Wang Yelin
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第2期
- X-parameters;
- GaN HEMT;
- power amplifier;
- load-pull;
- device characterization;
- behavioral modeling;
78.Broadband terahertz radiation from a biased two-dimensional electron gas in an AlGaN/GaN heterostructure

机译：来自AlGaN / GaN异质结构中的偏置二维电子气的宽带太赫兹辐射
- 作者：Zheng Zhongxin;Sun Jiandong;Zhou Yu;Zhang Zhipeng;Qin Hua
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- two-dimensional electron gas;
- hot electron;
- blackbody radiation;
- plasmon;
- Fabry-Pérot cavity;
79.Physical characteristics modification of a SiGe-HBT semiconductor device for performance improvement in a terahertz detecting system

机译：SiGe-HBT半导体器件的物理特性修改，以提高太赫兹检测系统的性能
- 作者：Hamed Ghodsi;Hassan Kaatuzian
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第5期
- terahertz;
- SiGe;
- HBT;
- physical structure;
- direct conversion detector;
80.High quality non-rectifying contact of ITO with both Ni and n-type GaAs

机译：ITO与Ni和n型GaAs的高质量非整流接触
- 作者：Wang Qingsong;Masao Ikeda;Tan Ming;Dai Pan;Wu Yuanyuan;Lu Shulong;Yang Hui
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第5期
- ITO;
- electron beam evaporation;
- ITO-GaAs;
- specific contact resistance;
81.Phase transformation from cubic ZnS to hexagonal ZnO by thermal annealing

机译：通过热退火将立方相ZnS转变为六方ZnO
- 作者：K. Mahmood;M. Asghar;N. Amin;Adnan Ali
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- ZnS;
- phase transformation;
- EDX;
- XRD;
- PL;
82.A CMOS high resolution, process/temperature variation tolerant RSSI for WIA-PA transceiver

机译：用于WIA-PA收发器的CMOS高分辨率，过程/温度变化耐受RSSI
- 作者：Yang Tao;Jiang Yu;Li Jie;Guo Jiangfei;Chen Hua;Han Jingyu;Guo Guiliang;Yan Yuepeng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
- limiter;
- RSSI;
- high resolution;
- dynamic range;
- detection sensitivity;
- rail-to-rail buffer;
83.A monolithic 60 GHz balanced low noise amplifier

机译：单片60 GHz平衡低噪声放大器
- 作者：Yang Xue;Yang Hao;Zhang Haiying;Zheng Xinnian;Dai Zhiwei;Li Zhiqiang;Du Zebao
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第4期
- balanced amplifier;
- 60 GHz;
- low noise;
84.A full W-band low noise amplifier module for millimeter-wave applications

机译：适用于毫米波应用的完整W波段低噪声放大器模块
- 作者：Zhao Hua;Yao Hongfei;Ding Peng;Su Yongbo;Ning Xiaoxi;Jin Zhi;Liu Xinyu
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第9期
- W-band;
- low noise amplifier (LNA);
- waveguide-to-microstrip probe transition;
- noise figure;
- LNA module;
85.Deposition and doping of CdS/CdTe thin film solar cells

机译：CdS / CdTe薄膜太阳能电池的沉积和掺杂
- 作者：Nima E. Gorji
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第5期
- CdTe thin film;
- oxygen incorporation;
- SEM;
- X-ray diffraction;
86.Properties of the magnetopolaron in a triangular quantum well

机译：三角量子阱中磁极化子的性质
- 作者：Li Yali;Shan Shuping
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
- triangular quantum well;
- magnetopolaron;
- LLP variational method;
87.Effect of N and Fe codoping on the electronic structure and optical properties of TiO_2 from first-principles study

机译：第一性原理研究N和Fe共掺杂对TiO_2电子结构和光学性能的影响
- 作者：Zhu Zhuomao;Bian Baoan;Shi Haifeng
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第10期
- codoping;
- first-principle;
- electronic structure;
- optical properties;
88.High performance AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiN_x passivation

机译：具有AlN / SiN_x钝化的高性能AlGaN / GaN HEMT
- 作者：Tan Xin;Lü Yuanjie;Gu Guodong;Wang Li;Dun Shaobo;Song Xubo;Guo Hongyu;Yin Jiayun;Cai Shujun;Feng Zhihong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- AlGaN/GaN HEMTs;
- plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD);
- AlN;
- passivation;
- subthreshold hysteresis;
- thermal stability;
89.Influence of N-type doping on the oxidation rate in n-type 6H-SiC

机译：N型掺杂对n型6H-SiC中氧化速率的影响
- 作者：Guo Hui;Zhao Yaqiu;Zhang Yuming;Ling Xianbao
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第1期
- nitrogen-doped 6H-SiC;
- modified D-G model;
- oxidation rate;
- Arrhenius activation energy;
90.LTE turbo decoder design

机译：LTE Turbo解码器设计
- 作者：Yang Le;Ye Tianchun;Wu Bin;Zhang Ruiqi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- LTE;
- turbo decoder;
- (quadratic polynomial permutation) QPP interleaver;
91.Design of broadband class-F power amplifier for multiband LTE handsets applications

机译：用于多频段LTE手机应用的宽带F类功率放大器的设计
- 作者：Zheng Yaohua;Zhang Guohao;Zheng Ruiqing;Li Sizhen;Lin Junming;Chen Sidi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
- long term evolution (LTE);
- power amplifier;
- broadband;
- multiband;
- InGaP/GaAs HBT;
92.Influence of pH of spray solution on optoelectronic properties of cadmium oxide thin films

机译：喷涂溶液的pH值对氧化镉薄膜光电性能的影响
- 作者：R. M. Hodlur;M. K. Rabinal
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- spray pyrolysis;
- pH;
- cadmium oxide;
- thin films;
- electrical conductivity;
93.Impact of continuing scaling on the device performance of 3D cylindrical junction-less charge trapping memory

机译：持续缩放对3D圆柱无结电荷陷阱存储器的设备性能的影响
- 作者：Li Xinkai;Huo Zongliang;Jin Lei;Jiang Dandan;Hong Peizhen;Xu Qiang;Tang Zhaoyun;Li Chunlong;Ye Tianchun
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第9期
- 3D charge trapping devices;
- vertical charge loss;
- lateral charge migration;
- semiconductor device simulation;
94.High accuracy digital aging monitor based on PLL-VCO circuit

机译：基于PLL-VCO电路的高精度数字老化监控器
- 作者：Zhang Yuejun;Jiang Zhidi;Wang Pengjun;Zhang Xuelong
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第1期
- nanoscale;
- aging monitor;
- PLL-VCO;
- circuit design;
95.Effects of interface trap density on the electrical performance of amorphous InSnZnO thin-film transistor

机译：界面陷阱密度对非晶InSnZnO薄膜晶体管电性能的影响
- 作者：Liang Yongye;Kyungsoo Jang;Velumani;Cam Phu Thi Nguyen;Junsin Yi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第2期
- a-ITZO TFTs;
- low resistivity;
- interface trap density;
- electrical properties;
- electrical stability;
96.Temperature effect on hetero structure junctionless tunnel FET

机译：温度对异质结无结隧道FET的影响
- 作者：Shiromani Balmukund Rahi;Bahniman Ghosh;Bhupesh Bishnoi
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- TFET;
- subthreshold slope (SS);
- temperature effect;
- band-to-band tunneling;
97.First-principles study of n-type tin/fluorine co-doped beta-gallium oxides

机译：n型锡/氟共掺杂β-镓氧化物的第一性原理研究
- 作者：Zhao Yinnü;Yan Jinliang
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第8期
- semiconductor doping;
- electric properties;
- optical properties;
- electronic structure;
98.Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO_2 interface

机译：高k电介质/ SiO_2界面处的电偶极子形成
- 作者：Han Kai;Wang Xiaolei;Yang Hong;Wang Wenwu
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第3期
- high-k dielectric;
- band alignment;
- interface dipole;
99.Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs

机译：UTBOX绝缘体上硅nMOSFET中与硅膜有关的随机电报噪声
- 作者：Fang Wen;Eddy Simoen;Li Chikang;Marc Aoulaiche;Luo Jun;Zhao Chao;Cor Claeys
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第9期
- random telegraph noise;
- low frequency noise;
- ultra-thin BOX;
- silicon-on-insulator;
- single charge trap;
100.A CMOS analog front-end chip for amperometric electrochemical sensors

机译：用于电流电化学传感器的CMOS模拟前端芯片
- 作者：Li Zhichao;Liu Yuntao;Chen Min;Xiao Jingbo;Chen Jie
- 期刊名称：《Journal of Semiconductors》 | 2015年第7期
- CMOS;
- analog front-end;
- electrochemical sensors;
- system-on-chip;

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