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李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚;
北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室;
北京100871;
正偏置温度不稳定性(PBTI); 高介电常数栅介质; 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI; MOSFET); 退化; 应力诱导漏电流(SILC);
机译:高k /金属栅最后工艺对NMOSFET正偏压温度不稳定性的表征
机译:高电介质金属栅金属氧化物半导体场效应晶体管正负偏压温度不稳定性的随机电报信号研究
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:具有超薄等离子体氮化栅电介质的p + sup>栅pMOSFET的负偏压温度不稳定性(NBTI)
机译:捕捉的实验研究:当被电介质包围时,吸引到正偏压导体上的等离子体电流突然增加。
机译:高κ栅介质的最终定标:高κ或界面层清除?
机译:氮氧氮化硅栅极电介质中的氮工程对p-MOSFET负偏压温度不稳定性的影响:超快速I-DLIN技术研究
机译:负偏压温度不稳定性(NBTI)实验
机译:用于加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率午睡技术
机译:加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率抑制技术
机译:为正偏压温度不稳定性筛选静态随机存取存储单元的方法
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