一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法

摘要

本发明公开了一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法，利用减压化学气相沉积系统外延生长，生长气源为高纯乙锗烷和氢气，P型Si衬底经过标准RCA清洗后传入真空进样室，开始生长时，硅片再传入生长室，缓慢加热衬底并在氢气中保持一段时间，去除硅片上的氧原子污染物形成清洁的生长表面，去氧后降低衬底温度到合适的值即可开始生长。本发明的有益效果是生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量。