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改性的低温-高温法外延生长低位错密度硅基锗薄膜的研究

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本文提出了一种利用分子束外延系统(MBE),通过改性后的低温高温两步法,在(001)硅片上生长高质量应变驰豫的锗膜的方法.这种改性后的锗膜生长方法包括如下步骤:首先在380°C下生长低温层,其次在不同升温速率和沉积速率下生长380-600°C的变温层,最后在600°C下生长高温层.

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来源
《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2017年|65-66|共2页
会议地点厦门
作者
种海宁; 王哲玮; 叶辉;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.1:TN304.054.4;
关键词
硅基锗薄膜; 外延生长; 低温-高温法; 温速率; 沉积速率;

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