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周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明;
厦门大学物理系半导体光子学研究中心;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
锗硅异质外延; 弛豫缓冲层; 锗;
机译:工艺参数对4°离轴基片上基于氯化物的CVD生长的厚4H-SiC外延层中位错密度的影响
机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:生长后退火后台面形状对锗硅外延层中螺纹位错密度的影响
机译:工艺参数对氯化物基CVD厚的4H-SiC外延层脱位密度在4°轴外基板上生长的厚度密度
机译:用于稳定双极二极管的4H-碳化硅的低基面位错密度外延层的生长。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:CVD中闪光加热硅和锗的原子层逐层外延
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。
机译:球的自组装层通过缺陷过滤生长的低位错密度外延层
机译:具有外延生长的层的退火以形成具有低位错密度的半导体结构的半导体方法
机译:低位错密度的外延生长氮化物基化合物半导体晶体衬底结构
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