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致谢
1 绪论
1.1课题背景
1.2锗和锗硅的优势
1.3硅锗外延的器件应用举例
1.4本课题研究内容
参考文献
2 实验方法
2.1分子束外延系统
2.1.1实验流程
2.1.2硅片清洗
2.2反射式高能电子衍射
2.3检测方法
2.3.1原子力显微镜
2.3.2腐蚀坑测试
2.3.3拉曼光谱测试
参考文献
3 硅锗外延中的RHEED花样分析
3.1引言
3.2运动学衍射理论
3.2.1基本衍射条件
3.2.2倒易杆
3.2.3厄瓦德球图示法:
3.3平面衍射花样
3.3.1无重构表面RHEED花样计算
3.3.2重构表面RHEED花样
3.4透射式衍射花样
3.4.1一般透射式衍射花样
3.4.2多晶环衍射花样
3.4.3孪晶花样
3.5硅锗外延过程中RHEED监控
3.5.1衬底RHEED花样
3.5.2硅基锗量子点生长RHEED花样演化
3.5.3硅基锗薄膜外延RHEED花样演化
3.6结论
参考文献
4 硅基锗薄膜外延生长
4.1引言
4.2锗硅外延基本理论
4.2.1外延生长模式
4.2.2临界厚度
4.2.3外延薄膜中位错理论
4.3插入层研究
4.3.1样品制备
4.3.2结果分析
4.4高质量锗外延薄膜
4.4.1样品制备
4.4.2结果分析
4.5结果
参考文献
5 总结和展望
作者简历及在学期间所取得的科研成果