机译:化学浴沉积条件对CDS薄膜生长的影响
Korea Atom Energy Res Inst Proton Engn Frontier Project Gyeongju 31810 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Dept Phys Daegu 41566 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Dept Phys Daegu 41566 South Korea;
CdS; CBD; TFT; stirring rate; number of substrate;
机译:化学浴沉积条件对CDS薄膜生长的影响
机译:CdS薄膜沉积的新方法:酸性化学浴中电化学诱导CdS薄膜的逐原子生长
机译:锡掺杂对光化学浴沉积太阳能光伏电池生长硫化镉(CdS:Sn)薄膜的影响
机译:XRD,FTIR,EPR使用化学浴沉积法研究Mn掺杂CDS薄膜的生长
机译:通过化学浴沉积法生长的硫化镉用于铜铟二硒化物光伏薄膜太阳能电池的生长和表征。
机译:温度反应对化学浴沉积形成CdSe-TiO2纳米管薄膜的影响以提高光电化学活性
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响