机译:通过原子层沉积制备的TaC_x薄膜作为铜金属化的扩散阻挡层
Busan Center, Korea Basic Science Institute, 1275 Jisadong, Gangseogu, Busan 618-230, Korea;
School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Gyeongsangbuk-do 712-749, Korea;
School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Gyeongsangbuk-do 712-749, Korea;
School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Gyeongsangbuk-do 712-749, Korea;
Global Foundries, Albany, New York 12203;
机译:等离子体增强原子层沉积作为Cu金属化的扩散阻挡层,形成高度共形的W-Si-N薄膜。
机译:使用无氟钨金属有机前驱体和NH_3等离子体作为Cu扩散阻挡层的WN_x薄膜的原子层沉积
机译:WN_X薄膜的原子层沉积使用F免无钨金属 - 有机前体和NH_3等离子体作为Cu-扩散屏障
机译:使用新的Ta前体和H_2等离子体增强TAC_X膜的等离子体增强原子层沉积;用于NMOS的Cu金属化和金属栅极扩散屏障的应用
机译:用原子层沉积(ALD)制备的钙钛矿薄膜金属催化剂的研究
机译:锡薄膜的等离子体增强的原子层沉积作为CIGS太阳能电池的有效SE扩散屏障
机译:血浆参数对血浆增强原子层沉积在100℃下血浆增强原子层沉积的超薄Al2O3膜性能的影响
机译:原子层外延沉积三元金属二元和三元氧化物薄膜。