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Advanced Metallization Conference
Advanced Metallization Conference
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1.
High-speed Cu-CMP for Three-dimensional Chip Stacking with Si Through-via
机译:
用SI通孔堆叠三维芯片的高速CU-CMP
作者:
Yuichi Taguchit
;
Masataka Hoshino
;
Kenji Takahashi
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
2.
Frequency and in-situ characterization of high permittivity insulators for high-speed integrated passives
机译:
高速集成无源高介电常数绝缘子的频率和原位特征
作者:
T. Lacrevaz
;
A. Farcy
;
J. Torres
;
B. Flechet
;
C. Bermond
;
G. Angenieux
;
O. Cueto
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
3.
Analysis of an Extreme Low-K Organosilicate Dielectric Film Exposed to Representative Plasmas and to a Restorative Process
机译:
对代表性等离子体暴露于恢复过程的极端低k有机硅酸盐介电膜的分析
作者:
M. Colburn
;
S. Nitta
;
J. Zinter
;
N. Chakrapani
;
S. Purushothaman
;
E. Simonyi
;
S. Cohen
;
L. Shi
;
K. Milkove
;
W. Volksen
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
4.
Formation of 10 nm Continuous Cu Film in a Fine Hole by Electroless Plating for Seed Layer Application
机译:
通过化学层施加的电镀涂层在细孔中形成10nm连续Cu膜
作者:
Zenglin Wang
;
Osamu Yaegashi
;
Hiroyuki Sakaue
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
5.
A Reliability Model for Interlayer Dielectric Cracking During Fast Thermal Cycling
机译:
快速热循环期间层间介质裂缝的可靠性模型
作者:
Hieu V. Nguyen
;
Cora Salm
;
Benno Krabbenborg
;
Jaap Bisschop
;
Ton J. Mouthaan
;
Fred G. Kuper
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
6.
Electroless NiMo-P Thin Films for Capping/ Barrier Layer Applications
机译:
用于封端/屏障层应用的无电镀Nimo-P薄膜
作者:
A. Wirth
;
M. Cordeau
;
M. Hahn
;
P.-H. Haumesser
;
W. Jammer
;
M. Joulaud
;
D. Mayer
;
T. Mourier
;
R. Rhein
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
7.
SUPERCRITICAL SILYLATION OF ASHED SI-O-C LOW-K FILMS TO LIMIT CHANGES IN CRITICAL DIMENSIONS
机译:
超临界Si-O-C低k薄膜的超临界甜菜碱,以限制临界尺寸的变化
作者:
R.F. Reidy
;
R.A. Orozco-Teran
;
Zhengping Zhang
;
awan K. Nerusu
;
P.D. Matz
;
D.W. Mueller
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
8.
Analysis of TaN Film Properties Inside Vias for Gap Fill Application
机译:
间隙填充施用中透筒膜性能分析
作者:
Yoichiro Tanaka
;
Edward Principe
;
Ramin Emami
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
9.
A Low-damage Ashing Technique for Improved Reliability of 90-nm-node Cu/Low-k Interconnects
机译:
一种低损伤的灰化技术,提高了90-NM节点Cu / Low-K互连的可靠性
作者:
K. Yatsuda
;
T. Saitoh
;
T. Tatsumi
;
T. Sato
;
M. Yoshida
;
Y. Nogami
;
K. Kawahara
;
Y. Enomoto
;
T. Yamane
;
Y. Yamaguchi
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
10.
Novel solution to highly uniform CMP for 45 nm device generation: Integration of single-step Cu CMP and planar etch back of dielectric using anti-corrosive DHF and suppression of galvanic corrosion
机译:
新的溶液对45nm器件的高度均匀CMP产生:使用抗腐蚀性DHF的单步Cu CMP和平面蚀刻的平面蚀刻和抑制电流腐蚀
作者:
Hiizu Ohtori
;
Hiroshi Horikoshi
;
Naoki Komai
;
Kaori Tai
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
11.
Pulsed Deposition Of Tungsten Nitride And Its Application To Direct Fill Of Tungsten Vias
机译:
钨氮化钨的脉冲沉积及其应用于直接填充钨通孔
作者:
Sang Woo Lee
;
Jin Ho Park
;
Jong Myeong Lee
;
Gil Heyun Choi
;
Sung Tae Kim
;
U In Chung
;
Joo Tae Moon
;
Josh Collins
;
Juwen Gao
;
Sang-Hyeob Lee
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
12.
Improvement of FM-CVD TiN barrier properties for Cu interconnection by inserting Al monolayers
机译:
通过插入Al单层Cu互连的FM-CVD型托管性能的改进
作者:
Young-Hoon Shin
;
Yukihiro Shimogaki
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
13.
CVD precursors for NiSi films
机译:
NISI薄膜的CVD前体
作者:
T. Kada
;
M. Ishikawa
;
H. Machida
;
A. Ogura
;
Y. Ohshita
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
14.
Plasma Enhanced CVD Low-k Black Diamond Film Formation Process For 65nm Technology Node
机译:
等离子体增强CVD低K黑色金刚石薄膜形成过程65NM技术节点
作者:
Yi Zheng
;
Wen Zhu
;
TzuFang Huang
;
Srinivas Nemani
;
Kang Sub Yim
;
Helen Amer
;
Li-Qun Xia
;
Hichem MSaad
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
15.
Process Technology to Improve Integration Stability for Cu/Low-k (SiOC/FSG Hybrid) Dual-Damascene Interconnects
机译:
工艺技术,提高Cu / Low-K(SIOC / FSG杂交)双镶嵌互连的集成稳定性
作者:
Hyeok-Sang Oh
;
SangRok Hah
;
JuHyuk Chung
;
Young-Jin Wee
;
Dea-Gun Park
;
Jung-Woo Lee
;
Ki-Ho Kang
;
Jin-Sung Chung
;
Kyoung-Woo Lee
;
Soo-Gun Lee
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
16.
Improvement in Cu-CMP Technology for 90-nm Nodes
机译:
90nm节点Cu-CMP技术的改进
作者:
Nobuhiro Konishi
;
Youhei Yamada
;
Junji Noguchi
;
Uitsu Tanaka
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
17.
Reliability Improvement to Copper Damascene Structures using Buried Capping Layer
机译:
埋藏覆盖层对铜镶嵌结构的可靠性改进
作者:
K.Y. Yiang
;
W.J. Yoo
;
Ahila Krishnamoorthy
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
18.
Repairing Process-Induced Damage to Porous Low-k ILDs by Post-Ash Treatment
机译:
通过后灰分处理修复过程诱导的多孔低k ILD损伤
作者:
Anil Bhanap
;
Teresa Ramos
;
Anna Camarena
;
Ananth Naman
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
19.
Metal Seed Activation of TiSiN Diffusion Barrier Layers for Electrochemical Copper Deposition
机译:
用于电化学铜沉积的TISIN扩散阻挡层的金属种子激活
作者:
Jinghua Sun
;
Benedict Johnson
;
Thomas J. OKeefe
;
Matthew J. OKeefe
;
Xuan Lin
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
20.
Correlation of Pore Structure to Integration Issues for Low-κ Interconnects
机译:
孔隙结构与低κ互连集成问题的相关性
作者:
E. A. Joseph
;
M. J. Goeckner
;
L. J. Overzet
;
D. W. Gidley
;
B. E. E. Kasienmeier
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
21.
Simulation of electrical, thermal and mechanical effects on migration performance in a complete copper dual damascene test structure with the influence of the extrusion monitor
机译:
挤出监测器影响完整铜双镶嵌试验结构中电气,热和机械效果的仿真
作者:
Xiaoying Yu
;
Oliver Aubel
;
Wolfgang Hasse
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
22.
Impact of pre-barrier sputter etch in porous MSQ-based Cu interconnects
机译:
基于多孔MSQ的Cu互连中的预屏障溅射蚀刻的影响
作者:
S. Grunow
;
S.S. Papa Rao
;
S.K. Ajmera
;
Y. Solomentsev
;
L. Chen
;
C. Jin
;
N.M. Russell
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
23.
Electrical and Microstructural Characterization of Narrow Cu Interconnects
机译:
窄Cu互连的电气和微观结构特征
作者:
W. Wu
;
S. H. Brongersma
;
I. Vervoort
;
H. Bender
;
M. Van Hove
;
K. Maex
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
24.
Failure Mechanisms in Dielectric Barriers
机译:
介电屏障的失效机制
作者:
G. B. Alers
;
M. Sanganeria
;
R. Shaviv
;
G. Kooi
;
K. Jow
;
G. W. Ray
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
25.
Flip Chip Solder Bumping Compatibility on Cu/low-k Devices
机译:
倒装芯片焊料在Cu / Low-K器件上兼容性
作者:
Jamin Ling
;
Michelle Rasco
;
Pete Elenius
;
Rod Augur
;
Tom Strothmann
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
26.
Measuring Porosity: A Comparative Study of Techniques
机译:
测量孔隙度:技术的比较研究
作者:
Bernd E. E. Kastenmeier
;
David W. Gidley
;
Long Vu
;
Mikhail R. Baklanov
;
Andreas Knorr
;
Brendan Foran
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
27.
Improved Thermal Stability of Copper Vias Using a Cyclical Stress Test
机译:
使用循环应力测试改善铜通孔的热稳定性
作者:
G.B. Alers
;
J.J. Kuo
;
G. Harm
;
S.R. Weinzierl
;
G. W. Ray
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
28.
Low Crosstalk Differential Transmission Line Interconnect on Si ULSI
机译:
Si Ulsi的低串扰差分传输线互连
作者:
Hiroyuki Ito
;
Shinichiro Gomi
;
Hirotaka Sugawara
;
Kenichi Okada
;
Kazuya Masu
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
29.
INTEGRATED MULTISTEP PROCESS SIMULATION WITH CHIP-SCALE STRUCTURES
机译:
用芯片尺度结构集成多步骤过程模拟
作者:
Max O. Bloomfield
;
Leonard J. Borucki
;
Yeon Ho Im
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
30.
Integration of Cu with Porous Ultra Low K (K~2.2) Materials
机译:
Cu与多孔超低钾的整合(K〜2.2)材料
作者:
Y. W. Chen
;
X. T. Chen
;
S. Balakumar
;
B. Ramana Murthy
;
Ahila Krishnamoorthy
;
M. Mukherjee-Roy
;
Shaoyu Wu
;
Y. J. Su
;
W. Y. Gao
;
Y. T. Tan
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
31.
Evaluation of Adhesion of Lovv-k Film Deposited by STP
机译:
STP沉积Lovv-K膜粘附评价
作者:
Kimiaki Shimokawa
;
Masafumi Kawagoe
;
Seiichi Shishiguchi
;
Takuya Fukuda
;
Hiroshi Yanazawa
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
32.
Low Pressure Magnetron Sputtering by Using Extremely Strong Magnetic Field and Coverage Properties of Copper Films Grown as Advanced Seed Layer
机译:
通过使用极强的磁场和作为先进种子层生长的铜膜的覆盖特性低压磁控溅射
作者:
H. Hazama
;
A. Imai
;
T. Matsuda
;
U. Mizutani
;
H. Ikuta
;
Y. Yanagi
;
Y. Itoh
;
K. Sakurai
;
A. Sekiguchi
;
T. Yamazaki
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
33.
Characterization of low-k porous silica films incorporated with ethylene groups
机译:
用乙烯掺入低k多孔二氧化硅膜的表征
作者:
Y. Uchida
;
M. Oikawa
;
Y. Ito
;
S. Akisawa
;
K. Ishida
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
34.
THE PORE STRUCTURE AND ITS IMPACTS ON PROPERTY AND PERFORMANCE OF A SPIN-ON POROUS LOW K DIELECTRIC
机译:
孔结构及其对旋转多孔低k电介质的性质和性能的影响
作者:
Youfan Liu
;
Wen-Li Wu
;
Brendan Foran
;
David Gidley
;
Hae Jeong Lee
;
Barry J. Bauer
;
Bryan Vogt
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
35.
The Development of Defect Free Post-CMP Cleaning in Cu/Low-k Damascene Wiring
机译:
Cu / Low-K镶嵌布线中缺陷自由后CMP清洗的开发
作者:
Yukiko Nishioka
;
Yoshikazu Ariga
;
Tatsuo Inoue
;
Katsuhiko Tokushige
;
Manabu Tsujimura
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
36.
Improvement of short defect density by controlling surface height of Cu line
机译:
通过控制Cu线的表面高度改善短缺密度
作者:
S. Seo
;
H. Kawano
;
M. Satake
;
T. Hattori
;
T. Harada
;
Y. Itoh
;
T. Ueda
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
37.
Analysis of the Metal Surface in CMP Process
机译:
CMP工艺中金属表面分析
作者:
Sumito Minagawa
;
Shin-ichiro Uekusa
;
Masako Kodera
;
Naoto Miyashita
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
38.
Resistance-Ratio Measurement as a Monitor of the Electromigration Reliability of Commercial ICs
机译:
阻力关系测量作为商业IC的电迁移可靠性的监视器
作者:
Takeshi Ishida
;
Kenji. Hinode
;
Kenichi. Takeda
;
Takeshi. Furusawa
;
Katsunori. Tagiri
;
Takahiro. Nakayama
;
Mamoru. Fujita
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
39.
Highly Reliable Multilevel Interconnects with Nano-clustering Silica
机译:
高度可靠的多级与纳米聚类二氧化硅相互连接
作者:
J. Nakahira
;
I. Sugiura
;
Y. Nakata
;
N. Misawa
;
Y. Iba
;
A. Hasegawa
;
H. Kitada
;
F. Sugimoto
;
N. Nishikawa
;
Y. Mizushima
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
40.
Simulation Of The Deposition Of BCC Metals Including Anistropic Effects Using 3D-Films
机译:
使用3D薄膜的各向异性效应的BCC金属沉积的模拟
作者:
T. Sray
;
R.V. Joshi
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
41.
A High-Silica, Robust Porous Dielectric Film
机译:
高二氧化硅,鲁棒多孔介电膜
作者:
Andrew J. Paszkowski
;
Justin Gaynor
;
Tom Mountsier
;
Rahim Kavari
;
Joo-Yoon Kim
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
42.
The Effect of Surface Activation on Electroless Ag(W) Deposition
机译:
表面活化对电镀Ag(W)沉积的影响
作者:
V. Bogush
;
E. Ginsburg
;
A. Inberg
;
N. Croitoru
;
V. Dubin
;
Y. Shacham-Diamand
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
43.
Thermal Stability of Cu/Non-Porous SiLK Integration with Ta(N) BiLayer as Diffusion Barrier
机译:
用Ta(n)双层作为扩散屏障的Cu /无孔丝绸整合的热稳定性
作者:
X. He
;
C. Y. Li
;
D. H. Zhang
;
P. W. Lu
;
G. J. Jia
;
S. S. Su
;
S. Balakumar
;
X. T. Chen
;
Y. W. Chen
;
Rekash Kumar
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
44.
Barrier Stability Below the End-of-Roadmap Thickness of 2.5nm?
机译:
屏障稳定性低于路线图厚度为2.5nm的厚度?
作者:
M. Traving
;
W. Steinhogl
;
G. Schindler
;
G. Steinlesberger
;
M. Engelhardt
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
45.
A Suppression of Stress-Induced Voiding in Cu/Low-k Damascene Interconnects Using Self-Aligned Metal Capping Method
机译:
使用自排列金属覆盖方法抑制Cu / Low-K镶嵌互连中的应激诱导的空隙
作者:
Hiroshi Ashihara
;
Kensuke Ishikawa
;
Takayuki Oshima
;
Katsuhiro Sasajima
;
Nobuhiro Konishi
;
Syoichi Uno
;
Ken Tsugane
;
Tomio Iwasaki
;
Tatsuyuki Saito
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
46.
Bimodal behavior and improvement of electromigration resistance of copper observed in highly accelerated lifetime tests (HALT)
机译:
在高度加速寿命试验中观察到的铜的双峰行为和改善铜的电阻(HALT)
作者:
Oliver Aubel
;
Wolfgang Hasse
;
Martina Hommel
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
47.
Improving the Electrical Performance of Cu/CVD Low k Coral~(TM) Interconnection-An Exploration of SiC Cap Etch and Ta Diffusion Barrier Deposition
机译:
提高Cu / CVD低k珊瑚〜(TM)互连的电性能 - SiC帽蚀刻和TA扩散阻挡沉积的探索
作者:
C.F. Tsang
;
C.Y. Li
;
H.Y. Li
;
V. Bliznetsov
;
Y.J. Su
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
48.
A Feasibility Study of Dual Damascene Porous SiLK~* Resin with Spin-on Hard Masks
机译:
双镶嵌多孔丝〜*树脂与旋转硬质面罩的可行性研究
作者:
R.J.O.M. Hoofman
;
J. Michelon
;
G.J.A.M. Verheijden
;
J. J. Waeterloos
;
R. Caluwaerts
;
M.O. Schmidt
;
C. Demeurisse
;
T. Vandeweyer
;
S. Demuynck
;
Zs. Tokei
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
49.
Improvement of Thermally-Induced Via Instability in Cu/OSG Interconnect
机译:
通过Cu / OSG互连在Cu / OSG互连中通过不稳定的改进
作者:
Woo Sig Min
;
Dong Joon Kim
;
Chan-Soo Shin
;
Kyoung Ho Kim
;
Sibum Kirn
;
Hee Jeen Kim
;
Jeong Gun Lee
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
50.
Characterization of PVD TaN and ALD WN_xC_y copper diffusion barriers on a porous CVD low-k material
机译:
PVD TAN和ALD WN_XC_Y铜扩散屏障对多孔CVD低k材料的表征
作者:
Y. Travaly
;
N. Kemeling
;
M. Maenhoudl
;
S Peelers
;
Zs. Tokei
;
T. Abell
;
J. Schuhmacher
;
S. Turlurro
;
I. Vos
;
L. Eugene
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
51.
Top Hard Mask Dual Damascene Integration of CVD Ultra Low-k Material
机译:
顶级硬掩模双镶嵌CVD超低k材料集成
作者:
Sane-Young Kim
;
J.H. Shin
;
M. Rasco
;
T. Jacobs
;
G. Martin
;
B. White
;
R. Augur
;
J.G. Lee
;
K. Pfeifer
;
P.Josh Wolf
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
52.
Effect of Diffusion Barriers on Electrical Performance and Reliability of Cu Metallization in 0.13 μm Cu/Ultra-low k Technology
机译:
扩散屏障对0.13μmCu/超低K技术中Cu金属化电性能和可靠性的影响
作者:
C. Y. Li
;
D. H. Zhang
;
P. W. Lu
;
S. S. Su
;
X. He
;
S. Balakumar
;
C. H. Seah
;
Y. W. Chen
;
X. T. Chen
;
N. Babu
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
53.
New Reliability Failure Mechanism in Porous Low-k Dual Damascene Interconnects
机译:
多孔低k双层镶嵌互连的新可靠性故障机制
作者:
R.A. Augur
;
C.U. Kim
;
V. Blaschke
;
N.L. Michael
;
P. Gillespie
;
M. Rasco
;
J.C. Lin
;
S.Y. Kim
;
K. Pfeifer
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
54.
Deposition of tantalum diffusion barriers and copper seed layers into trenches and vias using high current arc device and additional application of pulsed substrate bias
机译:
使用高电流电弧装置沉积钽扩散屏障和铜种子层和沟槽和通孔,以及脉冲基板偏压的附加施加
作者:
G. Kobernik
;
J. Beithold
;
C. Wenzel
;
J. W. Bartha
;
W. Hentsch
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
55.
A Comparative Physical Analysis of Tungsten Deposition in Contacts Using Pulsed Nucleation Layer Process With SiH_4 or B_2H_6
机译:
用SIH_4或B_2H_6使用脉冲成核层处理钨沉积钨沉积的对比物理分析
作者:
Steven R. Smith
;
Baptiste J. Walgenwitz
;
Olivier J. H. Bonnin
;
Richard H. Braspenning
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
56.
Porous SiLK~(TM) Y Semiconductor Dielectric Resin - The Impact of Dramatically Reduced Pore Size on Integration of an Organic Ultra-Low-k ILD Material
机译:
多孔丝〜(TM)y半导体介电树脂 - 显着降低的孔径对有机超低k ILD材料集成的影响
作者:
R. J. Strittmatter
;
Q. J. Niu
;
J. Waelerloos
;
G. F. Meyers
;
C. E. Mohler
;
B. G. Landes
;
J. W. Lyons
;
J.-H. Im
;
J. J. Curphy
;
J. L. Hahnfold
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
57.
Alpha-Ta formation and its impact on electromigration
机译:
α-TA形成及其对电迁移的影响
作者:
S. Demuynck
;
Zs. Tokei
;
C. Bmynseraede
;
J. Michelon
;
K. Maex
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
58.
Thickness and temperature dependent resistivity of thin copper films
机译:
薄铜膜的厚度和温度依赖性电阻率
作者:
W. Zhang
;
S.H. Brongersma
;
T. Clarysse
;
W. Wu
;
I. Vervoort
;
R. Palmans
;
I. Hoflijk
;
H. Bender
;
W. Hui
;
L. Carbonell
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
59.
A Morphology Study of Copper and Aluminum Interconnects
机译:
铜和铝互连的形态学研究
作者:
G. Schindler
;
V. Klandzevski
;
G. Steinlesberger
;
W. Steinhogl
;
M. Traving
;
M. Engelhardt
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
60.
Selective Deposition of Pure and Phosphorus Doped Cobalt from Supercritical Carbon Dioxide Solutions
机译:
超临界二氧化碳溶液中纯和磷掺杂钴的选择性沉积
作者:
Jason M. Blackburn
;
Justin Gaynor
;
John Drewery
;
Ephrem Hunde
;
James J. Watkins
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
61.
90nm Contact Fill Performance Using ALD-W as Nucleation Layer
机译:
90nm接触填充性能使用ALD-W作为成核层
作者:
Jyoti Gupta
;
John Sudijono
;
L.C. Hsia
;
Shubhranshu Singh
;
Tan Way Tat
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
62.
Nanoscale Deposition in Supercritical Fluids: Cu Metallization Process and Barrier Metal Deposition Possibility
机译:
超临界流体中的纳米级沉积:Cu金属化工艺和阻挡金属沉积可能性
作者:
E. Kondoh
;
M. Hishikawa
;
K. Shigama
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
63.
A 90nm Dual Damascene Hybrid (Organic/Inorganic) Low-k - Copper BEOL Integration Scheme
机译:
90nm双镶嵌杂交(有机/无机)低k - 铜BEOL集成方案
作者:
T.J. Dalton
;
A. Cowley
;
L. Clevenger
;
D. LaTulipe
;
W.-K. Li
;
K. Kumar
;
A. Simon
;
S. Kaldor
;
C.-C. Yang
;
Y.-H. Lin
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
64.
GRAIN BOUNDARY MIGRATION IN METALLIC INTERCONNECTS
机译:
金属互连中的晶界迁移
作者:
Max O. Bloomfield
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
65.
Simulation of the Etching and Sealing of Porous Dielectrics
机译:
多孔电介质蚀刻和密封的仿真
作者:
Max O. Bloomfield
;
Yeon Ho Im
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2004年
66.
Bias Thermal Stress Characterization for Porous Ultra Low-K Materials
机译:
多孔超低K材料的偏置热应力表征
作者:
Michelle Rasco
;
Klaus Pfeifer
;
Kyle Neuman
;
S.Y. Kim
;
Rod Augur
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
67.
Oxidation Resistance of Cu Ekctroless Co(W,B) Capping Layer for ULSI Metallization
机译:
Ulsi金属化Cu EkctroleS CO(W,B)封装层的抗氧化性
作者:
Hila Einati
;
Vadim Bogush
;
Yelena Sverdlov
;
Arulkumar Shanmugasundram
;
TimWeidman
;
Yosi Shacham-Diamand
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
68.
Quantifying Adhesion Strength for Cu/Ta barriers/ FTEOS dielectric Using Modified Edge Lift Off Test
机译:
用改进的边缘升降试验量化Cu / Ta屏障/ FTEOS电介质的粘合强度
作者:
C. S. Ho
;
C. Yong
;
B.C. Zhang
;
C.Y.H. Lim
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
69.
Tantalum Nitride Thin Film Resistors for High-Frequency Passive Devices at Interconnect Levels
机译:
互连级别的高频无源器件氮化物薄膜电阻
作者:
Chi-Chang Wu
;
Wen-Fa Wu
;
Shan-Kai Lin
;
Jian-Yang Lin
;
Chiu-Fen Chiang
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
70.
Direct Plating of Cu on Ruthenium for sub-45nm Technology Node Interconnects Gapflll
机译:
Cu对钌的直接电镀Sub-45nm技术节点互连GapFlll
作者:
Steve Johnston
;
Ramanan Chebiam
;
Haisono Simka
;
Paul Fischer
;
Val Dubin
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
71.
Impact of W/TiN/Ti Stacked Barrier Metal Structure for Al Interconnects upon Suppression of Via Resistance Degradation
机译:
W / TIN / TI堆叠屏障金属结构对通过电阻降解抑制时互连的影响
作者:
Kazuya Kawakami
;
Akira Ohtaguro
;
Hiroshi Ashihaia
;
Nobuhiro Konishi
;
Shouichi Uno
;
Maki Kubo
;
Tatsuyuki Saito
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
72.
Volume Grating Coupler Optical Input/Output Interconnects for CMOS GSI
机译:
CMOS GSI的音量光栅耦合器光输入/输出互连
作者:
Anthony V. Mule
;
Thomas K. Gaylord
;
James D. Meindl
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
73.
Development of Hermetic Oxide Films For Low-k Pore Sealing
机译:
低k孔密封的封闭氧化膜的研制
作者:
Kang Sub Yim
;
Vu Nguyen
;
BH Kim
;
Girish Dixit
;
Alex Demos
;
Derek Witty
;
Hichem MSaad
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
74.
A New Barrier Metal Structure with ALD-TaN for Highly Reliable Cu Dual Damascene Interconnects
机译:
一种新的屏障金属结构,具有ALD-TAN用于高度可靠的CU双层镶嵌互连
作者:
Kenichi Mori
;
Kazuyoshi Maekawa
;
Kiyoteru Kobayashi
;
Masahiro Yoneda
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
75.
Novel Wet Cleaning Process for 65nm node Cu/low-k Dual-Damascene Interconnects with PAE/SiOC Hybrid Structure
机译:
具有PAE / SIOC混合结构的65nm节点Cu / Low-K双镶嵌互连的新型湿式清洁工艺
作者:
M. Muramatsu
;
Y. Ohoka
;
R. Kanamura
;
H. Iwamoto
;
T. Matsumura
;
K. Takase
;
Y. Tsunashima
;
S. Kadomura
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
76.
Reliability Characterization of ALD TaN Barrier for Cu Interconnects
机译:
Cu互连ALD TAN屏障的可靠性表征
作者:
Toshio Saitoh
;
Kensuke Ishikawa
;
Junji Noguchi
;
Masanori Miyauchi
;
Ken Tsugane
;
Katsuhiro Sasajima
;
Maki Kubo
;
Takayuki Oshima
;
Akira Satoh
;
Tomio Iwasaki
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
77.
Atomic Layer Deposition of Molybdenum Nitride Diffusion Barriers for Cu Interconnects
机译:
Cu互连钼氮化物扩散屏障的原子层沉积
作者:
Petra Alen
;
Kai Arsti1a
;
Juhani Keinonen
;
Timo Sajavaara
;
Markku Leskeia
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
78.
Evaluation of gas cluster ion beam processing for sealing of a porous dielectric
机译:
用于密封多孔电介质的气体聚类离子束处理的评价
作者:
S.H. Brongersma
;
S. Sherman
;
M. Tabat
;
M. Patz
;
G. Beyer
;
Y. Travaly
;
T.Q. Le
;
R. Caluwaerts
;
J. Hautala
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
79.
Futures of microcavity to distribute high-frequency clock over than 10GHz
机译:
微磁性的期货分配超过10GHz的高频时钟
作者:
T. Kohori
;
H. Kato
;
E. Kondoh
;
T. Akitsu
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
80.
Application of Electro-Chemical Polishing in DI water to Cu damascene wiring planarization process
机译:
电化学抛光在二水中的应用在Cu镶嵌线平面化过程中
作者:
Ikularou Noji
;
Itsuki Kobata
;
Hozumi Yasuda
;
Takeshi Iizumi
;
Masayuki Kumekawa
;
Yutaka Wada
;
Akira Fukunaga
;
Manabu Tsujimura
;
Yasushi Toma
;
Tsukuru Suzuki
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
81.
The Ashing Damage Study of Porous Low-k Material for Cu Damascene Structure
机译:
Cu镶嵌结构多孔低k材料的灰化损伤研究
作者:
O. Inoue
;
T. Jimbo
;
K. Katsuyama
;
T. Tamaru
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
82.
Copper Metallization of Advanced Interconnects: Strategies for Beyond 65 nm
机译:
高级互连铜金属化:超过65纳米的策略
作者:
A. Route
;
T. Morel
;
P.H. Haumesser
;
O. Pollet
;
M. Cordeau
;
S. Maitrejean
;
J. Klocke
;
T. Ritzdorf
;
G. Passemard
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
83.
Non-Damaging Cleaning Processes for Porous Low-k Materials
机译:
多孔低k材料的非损伤清洁工艺
作者:
Philip G. Clark
;
Darren L. Moore
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
84.
Sacrificial Adhesion Promotion Layer for Cu Deposition in Supercritical Carbon Dioxide
机译:
超临界二氧化碳中Cu沉积的牺牲粘附促进层
作者:
Yinfeng Zong
;
Xiaoying Shan
;
James J. Watkins
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
85.
Evaluation of Nanoscale-Controllable CVD-TaN Barrier for Mass Production on Dual Damascene Structure for Sub-100nm Via
机译:
纳米尺度可控CVD-TAN屏障对批量生产的评价,对双镶嵌结构进行双镶嵌结构
作者:
Jong Won Hong
;
Kyung In Choi
;
Sung Ho Han
;
Sang Woo Lee
;
Gil Heyun Choi
;
Sung Tae Kim
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
86.
Application of Molecular Dynamics to the Simulation of IPVD
机译:
分子动力学在IPVD模拟中的应用
作者:
P. Belsky
;
R. Streiter
;
H. Wolf
;
T. Gessner
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
87.
Development of PECVD processes for low-k (k ≤ 2.5) and Cu barrier (k ≤ 3.2) dielectric films using novel organosilanes as CVD precursors for 65nm technology node and beyond
机译:
使用新型有机硅烷作为65nm技术节点和超越的CVD前体的低k(k≤2.5)和Cu屏障(K≤3.2)介电膜的PECVD工艺的开发。
作者:
Ather Ashraf
;
Byung K Hwang
;
Mark J. Loboda
;
Ryan Schneider
;
Sue Perz
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
88.
Barrier first RF-Ta as an alternative to Ar sputter-etch preclean for Cu metallization on W Ml and in single damascene integration
机译:
屏障首先RF-TA作为AR溅射蚀刻预塑料在W mL和单个镶嵌整合中的禁区的替代方法
作者:
Roey Shaviv
;
Glenn B. Alers
;
Sridhar Kailasam
;
Greg Harm
;
Robert Rozbicki
;
Michal Danek
;
Bart van Schravendijk
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
89.
New Evaluation Technique for Porous Films including Nano-Clustering Silica based on Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering with Two Component Pore Model
机译:
基于放牧发生率小角度X射线散射的多孔膜的新评价技术,包括两个组分孔模型
作者:
Naokt Awaji
;
Takashi Suzuki
;
Shuichi Doi
;
Yoshihiro Nakata
;
Noriyoshi Shimizu
;
Ei Yano
;
Tomoji Nakamura
;
Shunichi Hukuyama
;
Motoshu Miyajima
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
90.
Deposition and Characterization of CVD TiAIN films for Cu Diffusion barrier
机译:
Cu扩散屏障CVD硫膜膜的沉积和表征
作者:
Young-Hoon Shin
;
Yukihiro Shimogaki
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
91.
Integration of Cu-CMP Process with Combination of Abrasive-free Copper Polishing and Low Selective Barrier Polishing for 90nm Cu/low-k Interconnect
机译:
Cu-CMP工艺的结合与无磨料的铜抛光和低选择性屏障抛光的结合为90nm / Low-K互连
作者:
Xian Bin Wang
;
Juan Boon Tan
;
Yong Kong Siew
;
Bei Chao Zhang
;
Wu Ping Liu
;
Fan Zhang
;
Lup San Leong
;
Raymond Joy
;
Liang-Choo Hsia
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
92.
Composite Dielectric/Metal Sidewall Barrier with Al Stuffing layer for Cu/Porous Ultra how-k Damascene Interconnects
机译:
复合电介质/金属侧壁屏障与Cu /多孔Ultra How-K镶嵌互连的铝合金层
作者:
Zhe Chen
;
K. Prasad
;
N. Jiang
;
S. S. Su
;
P. W. Lu
;
C. Y. Li
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
93.
Electrochemical mechanical deposition and reverse linear planarisation of Copper for 45 nm node ULK integration
机译:
电化学机械沉积和铜的反向线性平面为45 nm节点ULK集成
作者:
T. Mourier
;
K. Haxaire
;
M. Cordeau
;
P. Chausse
;
S. DaSilva
;
J. Torres
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
94.
Material Properties and Thermal Stability of Electroless Co Alloys for Copper Interconnects
机译:
用于铜互连的无电CO合金的材料性能和热稳定性
作者:
N. Petrov
;
Q. Chen
;
C. Xu
;
C. Valverde
;
E. Yakobson
;
V. Panecasio
;
D. Stritch
;
C. Witt
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
95.
Characterization of Silver Coplanar Waveguides for Applications in Si MMIC
机译:
Si MMIC应用中银共甘蔗波导的表征
作者:
Vladislav V. Levenets
;
Rony E. Amaya
;
N. Garry Tarr
;
Tom J. Smy
;
John W.M. Rogers
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
96.
W(Si)N Diffusion Barriers for Cu Metallization deposited by PECVD
机译:
PECVD沉积Cu金属化的W(Si)N扩散屏障
作者:
R. Ecke
;
S.E. Schulz
;
M. Hecker
;
H.-J. Engelmann
;
T. Gessner
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
97.
Electroless NiMo-P Films as Capping Layers for Copper Interconnects
机译:
用于铜互连的封盖层的电镀Nimo-P胶片
作者:
M. Joulaud
;
P.H. Haumesser
;
W. Jammer
;
M. Hahn
;
A. Wiith
;
D. Mayer
;
R. Wlirl
;
P. Doppelt
;
G. Passemard
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
98.
Integration Solutions for 90nm BEOL
机译:
90nm beol的集成解决方案
作者:
Matt Herrick
;
Pak Leung
;
Bryan Wilson
;
Giri Nallapati
;
Abbas Guvenilir
;
Andy Nagy
;
Rusty Carter
;
Dave Smith
;
James Legg
;
Denise Rose
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
99.
Electrodepositing a Copper Seed Layer Directly on Diffusion Barriers for Damascene Interconnects
机译:
直接在镶嵌互连的扩散屏障上电沉积铜种子层
作者:
Rajesh Baskaran
;
Thomas Ritzdorf
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
100.
Packaging Effect on Reliability for Cu/low k Damascene Structures
机译:
包装效应Cu /低k型镶嵌结构的可靠性
作者:
Guotao Wang
;
Paul S. Ho
会议名称:
《Advanced Metallization Conference》
|
2005年
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