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机译:WN_X薄膜的原子层沉积使用F免无钨金属 - 有机前体和NH_3等离子体作为Cu-扩散屏障
Yeungnam Univ Inst Mat Technol Sch Mat Sci & Engn Gyongsan 712749 South Korea;
Yeungnam Univ Inst Mat Technol Sch Mat Sci & Engn Gyongsan 712749 South Korea;
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Korea Basic Sci Inst Busan Ctr 1275 Jisadong Busan 618230 South Korea;
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Yeungnam Univ Inst Mat Technol Sch Mat Sci & Engn Gyongsan 712749 South Korea;
Tungsten nitride; Atomic layer deposition; F-free precursor; NH3 plasma; Diffusion barrier; Cu metallization;
机译:使用无氟钨金属有机前驱体和NH_3等离子体作为Cu扩散阻挡层的WN_x薄膜的原子层沉积
机译:用于通过原子层沉积生长氮化钨薄膜的低价金属有机前体
机译:使用常规金属有机前体和远程等离子体活化的H_2O,通过原子层沉积化学共形沉积SrTiO_3薄膜
机译:新型金属有机前驱体的钨碳化物薄膜的原子层沉积
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过等离子体增强的原子层沉积使用四甲基(二甲基氨基)钛(TDMAT)和四氯化钛(TiCl4)前体制备的锡薄膜的数据集
机译:来自W2(NME2)6和水的氧化钨(III)氧化物薄膜的原子层沉积:薄膜材料中的氧化态的基于前体的控制
机译:等离子体增强原子层沉积ag薄膜的类似等离子体行为。