机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的纽结和阴极发光光谱之间的相关性
Department of Information Engineering, University of Padova, Via Gradenigo 6/A, 35131 Padova, Italy;
IMEM-CNR Institute, Viale Usberti 37/A, 43124 Parma, Italy;
rnIMEM-CNR Institute, Viale Usberti 37/A, 43124 Parma, Italy;
QinetiQ Ltd., Malvern WR14 3PS, United Kingdom;
ISOM and DIE, Universidad Politecnica of Madrid, Madrid 28034, Spain;
rnDepartment of Information Engineering, University of Padova, Via Gradenigo 6/A, 35131 Padova, Italy;
机译:射频工作期间AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热电子降解:与GaN缓冲设计的关系
机译:在4H-SIC上生长的AlGaN / GaN高电子 - 迁移晶体管结构中二维电子气体迁移率和晶体质量的相关性
机译:射频应力AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的深度分辨阴极发光光谱表征
机译:阴极发光对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的γ辐照效应的研究
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。