AlGaN/GaN/AlGaN双异质结高电子迁移率晶体管高温陷阱态研究

摘要

在本文中,采用变频电容和电导法研究了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结高电子迁移率晶体管(DH-HEMTs)中的陷阱态的高温特性.随着双异质结沟道厚度的减小,在DH-HEMTs中探测到的陷阱能级逐渐变深.另外,随着温度的增加,SH-和DH-HEMTs中的陷阱能级均变深,但是,DH-HEMTs中的陷阱能级变深的幅度高于SH-HEMTs的,反映了双异质结结构有益于抑制高温栅反向漏电.