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张飞; 林茂; 毛鸿凯; 苏芳文; 隋金池;
杭州电子科技大学 电子信息学院 浙江 杭州310018;
GaN; HEMT; 击穿电压; 导通电阻; N埋层; 电场调制; TCAD仿真; BFOM; 2DEG;
机译:具有和不具有表面钝化的无电流崩塌i-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:具有PD / GaN和Pd / Al_2O_3 / GaN栅极结构的AlGaN / Aln / GaN高电子迁移率晶体管的比较研究
机译:使用AlGaN再生技术制造的具有高漏极电流的增强型AlGaN / GaN垂直沟槽金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:一种改进的具有背面铜过孔的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的散热方法
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:具有铟 - 氧化铟锡栅电极的P-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的示范
机译:具有alsiN钝化的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:在基于GaN的帽段上具有栅极触点的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制造方法
机译:GaN / AlGaN / GaN无分散高电子迁移率晶体管
机译:GaN / AlGaN / GaN无色散高电子迁移率晶体管
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