机译:采用28nm高
机译:通过使用具有高触发电流的改良型LVTSCR器件,为CMOS输出缓冲器提供ESD保护
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:65NM批量CMOS技术中基于PMOSFET的ESD保护,用于改进外部闩锁鲁棒性
机译:纳米级CMOS中的ESD保护问题。
机译:具有嵌入式载流子复合结构的新型高保持电压SCR可实现闩锁免疫和强大的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:嵌入式微机械器件,用于mEms和CmOs的单片集成