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徐秋霞; 钱鹤; 段晓峰; 刘海华; 王大海; 韩郑生; 刘明; 陈宝钦; 李海欧;
中国科学院微电子研究所;
北京;
100029 中国科学院微电子研究所;
100029 中国科学院物理研究所;
100080 中国科学院物理研究所;
100080 中国科学院微电子研究所;
100029;
应变硅沟道; 压应力; Ge预非晶化注入; 等效氧化层厚度; 栅长; CMOS;
机译:具有0.9nm EOT和局部沟道注入的22nm镶嵌栅极MOSFET制造
机译:具有超薄(EOT = 3.1 nm)N_2O退火的SiN栅极介电层的应变SiGe沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性
机译:具有浅沟道隔离应力缓冲层的应变CMOS器件
机译:具有EOT = 1.2nm和最低SS = 63mV / dec的20–80nm沟道长度InGaAs全方位栅纳米线MOSFET
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:具有高性能CmOs有源像素传感器(aps)的动态可重构视觉
机译:具有完全硅化栅电极的应变沟道CMOS器件
机译:FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
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