...
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan;
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Electrostatic discharges; Thyristors; Logic gates; CMOS process; Leakage currents; Clamps; Metals;
机译:采用28nm高
机译:内部拾取对28nm高-
机译:栅极工程技术可提高28nm高金属栅极CMOS器件的有效电阻
机译:用于65nm CMOS工艺中ESD保护的低泄漏多晶SCR器件
机译:先进CMOS器件中金属栅极与高k栅极电介质的相互作用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护