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具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

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本文深入研究了亚30纳米CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术-Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90纳米PMOS空穴有效迁移率在低场下提高32﹪.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|1-9|共9页
会议地点北京
作者
徐秋霞; 钱鹤; 段晓峰; 韩郑生; 刘明; 刘海华; 王大海; 李海欧;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;设计;
关键词
集成电路; 芯片设计; 纳米技术;

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