机译:采用28nm高
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan;
CMOS integrated circuits; CMOS technology; Educational institutions; Electrostatic discharges; MOS devices; Robustness; Thyristors; Electrostatic discharge (ESD); pMOS; silicon-controlled rectifier (SCR); silicon-controlled rectifier (SCR).;
机译:具有低 inline-formula>
机译:高
机译:TmSiO / HfO 2 sub>介电堆栈在亚纳米EOT高
机译:0.18-驴MCMOS技术的片上ESD保护PMOS触发SCR设备的优化
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护