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曹路明; 高志远; 崔碧峰;
北京工业大学信息学部微电子学院;
通识; 半导体; 美学; 物理;
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:通过X射线微衍射从无掩模的外延外延生长的GaN(0001)层中的局部应变,缺陷和晶体学倾斜
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:减少在SiC上异质外延生长的GaN外延膜中的缺陷
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:GaN基异质结构分子射流下的外延优化:在硅衬底上具有高电子迁移率的晶体管中的应用
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:异质外延晶体生长方法,异质外延晶体生长装置,异质外延晶体生长装置和半导体器件
机译:生长后异质外延层分离,用于减少异质外延膜中的缺陷
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